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《中国电子科技集团公司第十六研究所所志》编撰工作顺利完成

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科技档案 2007年第1期 9-9页

作者：陈晓宇中国电子科技集团公司第十六研究所

2003年5月开始启动的《中国电子科技集团公司第十六研究所所志》（以下简称《十六所所志》）编撰工作，历时三年于所庆四十周年之际完成并出版。

关键词：中国电子科技集团公司研究所编撰

DGT投影机——中国电子科技集团公司第三研究所产品推介

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中国现代教育装备 2004年第4期 65-65页

作者：中国电子科技集团公司第三研究所中国电子科技集团公司第三研究所

中国电子科技集团公司第三研究所(以下简称三所)是全国唯一的从事电视、电声研究的国家一类综合性研究所.

关键词：中国电子科技集团公司 DGT投影机多媒体投影机远程控制

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一种对称Farrow结构分数时延滤波器设计方法

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雷达科学与技术 2025年

作者：贾可新陈阳中国电子科技集团公司第三十八研究所

为了通过控制滤波器频率响应逼近精度，尽可能降低实现结构的复杂度，获得滤波器系数的全局最优解，提出了一种基于二阶锥规划的对称Farrow结构分数时延滤波器设计方法。这种方法根据FIR滤波器的线性相位特性，构建加权最小二乘拟合目... 详细信息

为了通过控制滤波器频率响应逼近精度，尽可能降低实现结构的复杂度，获得滤波器系数的全局最优解，提出了一种基于二阶锥规划的对称Farrow结构分数时延滤波器设计方法。这种方法根据FIR滤波器的线性相位特性，构建加权最小二乘拟合目标函数和频率响应误差约束条件，并将约束转化为线性不等式约束，可将对称Farrow结构分数时延滤波器设计转化为一个凸优化求解问题。该问题可利用二阶锥规划方法进行求解，获得满足幅频和相频误差约束的全局最优滤波器系数。通过在仿真实验中对比分析所提方法与其他四种方法，验证了所提方法的有效性。

关键词：分数延迟滤波器对称Farrow结构二阶锥规划加权最小二乘频率响应

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一种用于高性能FPGA的多功能I/O电路

半导体技术 2025年

作者：罗旸刘波曹正州谢达张艳飞单悦尔中国电子科技集团公司第58研究所航天新气象科技有限公司

为了满足等效系统门数为亿门级现场可编程门阵列（FPGA）的高速率、多功能数据传输需求，设计了一种用于高性能FPGA的多功能输入输出（I/O）电路，工作电压为0.95 V，单个I/O电路的最高数据传输速率为2 Gbit/s。通过在输入逻辑电路中设... 详细信息

为了满足等效系统门数为亿门级现场可编程门阵列（FPGA）的高速率、多功能数据传输需求，设计了一种用于高性能FPGA的多功能输入输出（I/O）电路，工作电压为0.95 V，单个I/O电路的最高数据传输速率为2 Gbit/s。通过在输入逻辑电路中设计同一边沿流水技术的双倍数据速率（DDR）电路，可以使数据不仅能在相同的时钟沿输出，而且能在同一个时钟周期输出。通过分级采样结合时钟分频和偏移技术，只需4个时钟即可完成8:1数据的转换。另外，该I/O还可以对数据输入输出的延时进行调节，使用粗调和细调相结合的方式，共提供512个延时抽头，并且延时的分辨率达到4 ps。仿真和实测结果表明，该支持多功能的I/O电路能为高性能FPGA提供灵活、多协议的高速数据传输功能。

关键词：现场可编程门阵列(FPGA) 输入输出(I/O) 多电平标准双倍数据速率串并转换器

支持BIST的RS编解码器在国产FPGA上的设计与实现

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智能计算机与应用 2025年第1期 171-177页

作者：闻章刘绍凯中国电子科技集团公司第三十研究所

RS编码是一类应用广泛的纠错编码，由于有些国产FPGA平台未能提供该IP核的使用以及工程中在不同FPGA平台使用共享模块的需求，本文设计了一种低复杂度、低资源使用的RS编码器和RS解码器，提出了FPGA资源优化的方法，使用工具软件Matlab... 详细信息

RS编码是一类应用广泛的纠错编码，由于有些国产FPGA平台未能提供该IP核的使用以及工程中在不同FPGA平台使用共享模块的需求，本文设计了一种低复杂度、低资源使用的RS编码器和RS解码器，提出了FPGA资源优化的方法，使用工具软件Matlab和Modelsim进行了联合仿真，验证了设计的RS编码器和RS解码器电路的正确性与合理性，并在国产FPGA厂家安路科技的EG4S20NG88和PH1A100GCG324以及国外FPGA厂家Xilinx的XC7K325TFFG900上进行了实现，并对实现后的资源使用情况进行了对比。同时通过增加PRBS模块实现了内建自测试功能，极大地减少了模块在不同的FPGA平台之间移植的时间。

关键词： RS编码器 RS解码器内建自测试 PRBS 国产FPGA

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HVPE法同质外延氧化镓厚膜技术研究

人工晶体学报 2025年

作者：董增印王英民张嵩李贺孙科伟程红娟刘超中国电子科技集团公司第四十六研究所山东大学集成电路学院

卤化物气相外延（HVPE）法因生长速度快、掺杂可控等优势主要被用于生长β-Ga2O3同质外延片。本文采用垂直结构的HVPE设备进行β-Ga2O3厚膜的同质外延，探究了不同生长压力对β-Ga2O3的生长速度和外延质量的影响。研究发现，在生长相同... 详细信息

卤化物气相外延（HVPE）法因生长速度快、掺杂可控等优势主要被用于生长β-Ga2O3同质外延片。本文采用垂直结构的HVPE设备进行β-Ga2O3厚膜的同质外延，探究了不同生长压力对β-Ga2O3的生长速度和外延质量的影响。研究发现，在生长相同厚度β-Ga2O3外延膜时，降低生长压力虽然使生长速度有所降低，但更容易获得生长条纹连贯的、高结晶质量的β-Ga2O3厚膜。分析了外延膜中非故意掺杂的氮杂质来源，排除了氮气分解的可能性，通过调控Ⅵ/Ⅲ比，即提升氧气分压，能够有效降低β-Ga2O3外延膜中的氮杂质浓度，从8.0×1016cm-3降低至1.0×1016cm-3。最终，采用优化后的外延工艺，制备出高质量的2英寸（1英寸=2.54 cm）HVPE β-Ga2O3外延片，膜厚和载流子浓度分别是15.8 μm和1.5×1016cm-3，两者的不均匀性分别是3.6%和7.6%。

关键词：卤化物气相外延 β-Ga2O3 同质外延生长压力氮杂质 Ⅵ/Ⅲ

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原子磁力仪的研究进展与发展趋势

激光与光电子学进展 2025年

作者：宗昕冉陈海军中国电子科技集团公司第十二研究所微波电真空器件国家级重点实验室

原子磁力仪作为一种精确测量磁场的仪器，在基础物理、地球科学、生物医学和国防等多个领域发挥着重要作用。本文全面综述了原子磁力仪的技术发展，包括主要分类、基本特征以及重点介绍了碱金属光泵浦磁力仪、相干布居囚禁原子磁力仪、... 详细信息

原子磁力仪作为一种精确测量磁场的仪器，在基础物理、地球科学、生物医学和国防等多个领域发挥着重要作用。本文全面综述了原子磁力仪的技术发展，包括主要分类、基本特征以及重点介绍了碱金属光泵浦磁力仪、相干布居囚禁原子磁力仪、无自旋交换弛豫原子磁力仪以及非线性磁光旋转原子磁力仪的研究现状与发展趋势。文章首先介绍了基于经典物理原理和量子效应原理的磁力仪分类，然后详细讨论了四种量子效应原子磁力仪的工作原理、灵敏度、动态范围、带宽等关键性能指标，以及它们在不同应用场景下的优势和挑战。最后，文章探讨了这些磁力仪技术的未来发展方向，包括微型化、集成化、矢量磁场测量能力的提升，以及在生物医学成像、地球物理勘探等领域的潜在应用。

关键词：弱磁检测原子磁力仪光泵浦相干布居囚禁无自旋交换弛豫非线性磁光旋转

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一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器

现代电子技术 2025年第2期48卷 14-20页

作者：张斌蒋颖丹权帅超汪柏康孙莎莎秦战明孙文俊中国电子科技集团第五十八研究所江苏无锡214035

为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦... 详细信息

为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦,同时基于0.18μm SiGe BiCMOS高性能异质结双极晶体管工艺进行设计。电磁仿真结果显示,在8~16 GHz的频带范围内,放大器的增益>26 dB,输出1 dB功率压缩点≥10 dBm,饱和输出功率≥13 dBm,端口回波损耗≤-10 dB,-40~125℃范围内同频点增益浮动≤1.5 dB。所设计的驱动放大器电路性能稳定,2.8 V电源工作电流为45 mA,尺寸仅为0.50 mm×0.58 mm,实现了SiGe放大器高性能、小型化的设计要求。

关键词：驱动放大器宽带射频 SiGe工艺温度补偿共射-共基极(cascode)结构 Marchand巴伦异质结双极晶体管

基于碳基复合电磁屏蔽材料及其信息安全的应用

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网络安全技术与应用 2025年第1期 132-133页

作者：董长存刘云峰中国电子科技集团公司第三十三研究所

电磁信息安全作为社会科技进步发展的“基石”，直接关系着国家安全、社会稳定以及个人隐私保护等核心问题，因此做好信息安全的保障变得至关重要。通常，通过屏蔽抑制电磁泄露和干扰，实现信息安全防护功能，而现有屏蔽材料无法满足实... 详细信息

电磁信息安全作为社会科技进步发展的“基石”，直接关系着国家安全、社会稳定以及个人隐私保护等核心问题，因此做好信息安全的保障变得至关重要。通常，通过屏蔽抑制电磁泄露和干扰，实现信息安全防护功能，而现有屏蔽材料无法满足实际生产更高的需求。本文提出新型碳基复合电磁屏蔽材料在信息安全防护的应用。针对电磁屏蔽原理进行详细的阐述，对当前电磁屏蔽材料的现状和三种新型碳基复合电磁屏蔽材料：碳纳米管、碳纤维和石墨烯进行详细的分析。展示了碳基复合电磁屏蔽材料在信息安全载体的应用，验证了碳基复合电磁屏蔽材料运用于信息安全的实际可行性。

关键词：电磁屏蔽碳基复合材料信息安全