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零中频接收数字阵列镜像抑制的性能分析与方法

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雷达科学与技术 2024年第2期22卷 199-208,217页

作者：贾可新吴瑞荣中国电子科技集团公司第三十八研究所安徽合肥230088

为了解决零中频接收数字阵列波束合成的镜像抑制问题,从推导单通道零中频接收模型出发,首先给出了零中频接收数字阵列的数学模型,然后对同时存在通道间幅相误差、通道内I/Q不平衡误差时的阵列波束图、波束合成的镜像抑制性能进行理论分... 详细信息

为了解决零中频接收数字阵列波束合成的镜像抑制问题,从推导单通道零中频接收模型出发,首先给出了零中频接收数字阵列的数学模型,然后对同时存在通道间幅相误差、通道内I/Q不平衡误差时的阵列波束图、波束合成的镜像抑制性能进行理论分析。依据分析结果,阵列各通道引入随机辅助相位,提出了一种无需对通道内I/Q不平衡误差进行测量、波束合成输出镜像抑制比与阵元个数有关、适合于大规模数字阵列的波束合成镜像抑制方法。仿真实验验证了本文理论分析和所提方法的正确性。

关键词：零中频接收机数字阵列波束合成镜像抑制比 I/Q不平衡

镓硼共掺对6英寸VGF法锗单晶电阻率均匀性的影响

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半导体技术 2024年第8期49卷 708-712,725页

作者：张颖武边义午陈晨周春锋王云彪兰天平中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220

由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗... 详细信息

由于杂质分凝效应,镓掺杂垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶的电阻率分布不均匀,理论上利用镓和硼分凝系数的差异,镓硼共掺工艺可以提升锗单晶电阻率均匀性。采用镓硼共掺工艺制备了6英寸(1英寸≈2.54 cm)VGF法锗单晶,对比分析了掺杂工艺对锗单晶电阻率均匀性的影响。当镓和硼杂质浓度分别为5.13×10^(18)cm^(-3)和0.67×10^(18)cm^(-3)时,在等径0~40 mm范围内轴向电阻率不均匀性为4.92%,等径0 mm和40 mm处径向电阻率不均匀性分别为1.63%和0.45%,与镓杂质浓度为5.13×10^(18)cm^(-3)的镓掺杂工艺相比,锗单晶头部的电阻率均匀性明显提升。当硼杂质浓度提高到1.89×10^(18)cm^(-3)时,镓硼共掺锗单晶头部电阻率均匀性变差。结果表明,适量硼掺杂的镓硼共掺工艺可以提升锗单晶头部电阻率均匀性。

关键词： 6英寸垂直梯度凝固(VGF)法锗单晶镓硼共掺电阻率均匀性

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某高精密光电转台结构设计与模态分析

激光与红外 2024年第6期54卷 943-950页

作者：叶栋吴波郑宏军傅宏韬尤磊中国电子科技集团公司第五十二研究所浙江杭州311121

以某高精密搜跟一体光电设备为目标对象,根据该产品的技术指标要求,设计了一种高精密光电转台,对高精密光电转台样机进行装配与检测,确保轴系晃动误差值满足技术指标要求运用ANSYS软件对光电转台的三维模型进行模态分析,得出高精密光电... 详细信息

以某高精密搜跟一体光电设备为目标对象,根据该产品的技术指标要求,设计了一种高精密光电转台,对高精密光电转台样机进行装配与检测,确保轴系晃动误差值满足技术指标要求运用ANSYS软件对光电转台的三维模型进行模态分析,得出高精密光电转台的固有频率高于工作频率,不会产生共振现象。该高精密光电转台的实际使用效果表明该结构设计是成功的,对同类型转台类产品结构设计具有参考借鉴意义。

关键词：高精密光电转台轴系晃动误差模态分析结构设计

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SAR干扰技术综述

雷达科学与技术 2024年第4期22卷 369-376页

作者：胡泽宾中国电子科技集团公司第三十八研究所安徽合肥230088

合成孔径雷达(Synthetic Aperture Radar,SAR)是一种全天时全天候并具备高分辨率的成像设备,在军用民用领域均有重要的应用价值。SAR在军事上被广泛地应用于发现各类战略性目标,如坦克、部队、巡逻艇、敌方武器系统部署以及其他重要的... 详细信息

合成孔径雷达(Synthetic Aperture Radar,SAR)是一种全天时全天候并具备高分辨率的成像设备,在军用民用领域均有重要的应用价值。SAR在军事上被广泛地应用于发现各类战略性目标,如坦克、部队、巡逻艇、敌方武器系统部署以及其他重要的战略物资。在民用领域,SAR被用于地形测绘、预防各种天气现象如冰雹、洪水、干旱、飓风等。SAR技术的不断进步为重要军事目标的防御工作带来了极大的挑战,如何对SAR进行有效干扰,降低SAR对军事目标的检测与识别性能,从而保障军事目标能安全、高效地进行军事任务,仍是一个亟待解决的难题。本文阐述了对SAR干扰技术的发展现状,分析了现阶段SAR干扰技术的挑战与难点,并对其发展趋势进行了展望,以期为相关领域的研究人员提供有益参考。

关键词： SAR对抗有源干扰欺骗干扰干扰技术

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基于遗传算法的机载中重频高效多维优化

雷达科学与技术 2024年第4期22卷 410-415,426页

作者：牛利民范明意刘扬张卫清杨广玉朱宣城王飞中国电子科技集团公司第三十八研究所安徽合肥230088

机载脉冲多普勒(PD)雷达的重频组设计是雷达总体设计的基础,直接影响雷达的性能和应用场景。在中重频组设计过程中,必须考虑多维度参数的优化,由于可调整参数多,会导致潜在组合数膨胀严重,对计算资源和时间提出了极大的挑战。传统的优... 详细信息

机载脉冲多普勒(PD)雷达的重频组设计是雷达总体设计的基础,直接影响雷达的性能和应用场景。在中重频组设计过程中,必须考虑多维度参数的优化,由于可调整参数多,会导致潜在组合数膨胀严重,对计算资源和时间提出了极大的挑战。传统的优化方法,即便在限定参数范围后,仍面临穷举组合数庞大的问题。此外,机载雷达系统设计周期通常较短,模式需求多变,需要在较短时间内完成方案前期参数的选择和初步优化,便于开展后续设计。本文提出了一种基于遗传算法的高效多维优化方法,不仅增加了优化维度以更好满足工程需求,同时显著提升了优化效率。通过应用实例验证了所提方法的有效性,对机载PD雷达总体设计论证具有重要价值。

关键词：机载脉冲多普勒雷达脉冲重复频率距离⁃速度遮蔽遗传算法

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GAGG:Ce探测器封装技术研究

原子能科学技术 2024年

作者：万前银王强谢玉清肖雄张泽涛丁雨憧任科静徐扬中电科芯片技术(集团)有限公司中国电子科技集团公司第二十六研究所

为提升新型闪烁晶体GAGG:Ce在辐射探测器封装中的闪烁光子收集效率，通过蒙特卡罗程序Geant4和对比实验对?25.4 mm×25.4 mm的GAGG:Ce闪烁晶体的封装技术进行了研究。基于Geant4的LUT光子运输模型分析了晶体表面为镜面和打毛两种条件下... 详细信息

为提升新型闪烁晶体GAGG:Ce在辐射探测器封装中的闪烁光子收集效率，通过蒙特卡罗程序Geant4和对比实验对?25.4 mm×25.4 mm的GAGG:Ce闪烁晶体的封装技术进行了研究。基于Geant4的LUT光子运输模型分析了晶体表面为镜面和打毛两种条件下，分别搭配镜面反射和漫反射反射层的光收集效率。在晶体的表面处理工艺确定后，通过实验分别对比了反射层材料及厚度、光学耦合剂折射率和光电转换器件等因素对探测器封装的影响。研究结果表明：晶体的入射面和侧面打毛、出光面抛光后，以1 mm厚度的二氧化钛涂料作为反射层，使用折射率为1.70的光学胶耦合R6231-100光电倍增管，可封装出较高闪烁光子收集效率的GAGG:Ce辐射探测器，其能量分辨率可达4.68%(@662 keV)。

关键词： GAGG:Ce 光子收集效率封装技术能量分辨率

临界电流模式图腾柱无桥功率因数校正换相谐振抑制

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电工技术学报 2024年第12期39卷 3816-3826页

作者：黄帆任小永陈乾宏李梦睿王生东南京航空航天大学自动化学院南京211106 洛阳隆盛科技有限责任公司洛阳471000 中国电子科技集团第五十五研究所南京210096

工作于临界电流模式下的图腾柱无桥功率因数校正(PFC)电路因其无整流桥损耗、电感体积小、易于实现软开关而得到广泛关注。然而,在输入电压过零点处,工频管之间的换相时刻,电感会与工频管的结电容产生谐振,相应地,电感电流和直流母线电... 详细信息

工作于临界电流模式下的图腾柱无桥功率因数校正(PFC)电路因其无整流桥损耗、电感体积小、易于实现软开关而得到广泛关注。然而,在输入电压过零点处,工频管之间的换相时刻,电感会与工频管的结电容产生谐振,相应地,电感电流和直流母线电压因此会存在高频振荡。电感电流振荡会加剧输入电流畸变程度,而母线电压上的高频尖峰由于振荡频率高,后级DC-DC变换器难以抑制而传递至负载,导致敏感负载无法正常工作。该文分析线性开关在主动栅极电路中抑制振荡的工作原理,基于线性开关的特性提出三电平驱动方式来抑制图腾柱无桥PFC换相谐振,降低输入电流总谐波畸变率(THD)的同时实现对直流母线的高频尖峰的抑制,在2kW满载工况下,将输入电流THD降低1%,母线电压尖峰高频分量峰值由2.83V减小至0.01 V以下。实验结果表明,该文所提出的三电平驱动方式可以有效抑制临界电流模式图腾柱无桥PFC的换相谐振。

关键词：图腾柱无桥功率因数校正(PFC) 换相谐振线性开关三电平驱动母线电压尖峰抑制

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一种X波段机载MPM设计与工程实现

现代雷达 2024年第5期46卷 65-69页

作者：吴其锋刘晓红施必剑中国电子科技集团公司第五十一研究所上海201802

微波功率模块(MPM)是高集成度的一种微波发射机,它是真空放大器件应用的重大变革,涉及微波、真空电子、集成电源、微系统集成等多技术领域,具备单机功率大、频带宽、效率高、功率密度高、可靠性高等优点,可用于无人机电子对抗系统、有... 详细信息

微波功率模块(MPM)是高集成度的一种微波发射机,它是真空放大器件应用的重大变革,涉及微波、真空电子、集成电源、微系统集成等多技术领域,具备单机功率大、频带宽、效率高、功率密度高、可靠性高等优点,可用于无人机电子对抗系统、有源相控阵、拖曳式高功率电子干扰诱饵、气象雷达等许多领域。文中介绍了一种X波段中功率机载MPM的设计方法,详细阐述了励磁电感、谐振电感、谐振电容三元素串联谐振全桥拓扑高压电源、载频脉冲调制器、模块结构与热设计及其关键技术,并给出了实测数据,以期给相关从业人员带来一些启发和帮助。该项目研制的MPM已在外场成功完成空空、空地试验应用,性能非常好,可推广使用。

关键词：微波功率模块发射机 LLC全桥拓扑高压电源载频脉冲

一种V波段高效率5W GaN功率放大器MMIC

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半导体技术 2024年第4期49卷 360-364页

作者：高哲范一萌万悦中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成... 详细信息

基于0.13μm SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC采用三级放大拓扑结构以满足增益需求;使用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配,通过威尔金森功分器/合成器完成功率放大器的末端功率合成;通过对晶体管宽长比的设计与多胞晶体管的合成,实现了功率放大器的高功率稳定工作和高效率输出。经过测试,在59~61 GHz频率范围内,在占空比为20%、脉宽为100μs时,该功率放大器MMIC的饱和输出功率达到37 dBm以上,功率附加效率(PAE)大于21.1%,功率增益大于17 dB;连续波测试条件下输出功率大于36.8 dBm, PAE大于21%。该设计在输出功率和PAE上具有一定的优势。

关键词： V波段功率放大器单片微波集成电路(MMIC) 高效率功率合成