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大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究

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人工晶体学报 2024年第2期53卷 252-257页

作者：李传皓李忠辉彭大青张东国杨乾坤罗伟科南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 中国电科碳基电子重点实验室南京210016

本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以少层氮化硼(BN)作为插入层在4英寸蓝宝石衬底上开展范德瓦耳斯异质外延GaN微波材料的生长机理及应力调控方面的研究,探讨了AlN成核工艺对GaN缓冲层生长机制的影响,以及与材料晶体质量、应力... 详细信息

本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以少层氮化硼(BN)作为插入层在4英寸蓝宝石衬底上开展范德瓦耳斯异质外延GaN微波材料的生长机理及应力调控方面的研究,探讨了AlN成核工艺对GaN缓冲层生长机制的影响,以及与材料晶体质量、应力及电学性能等之间的关联。提出了一种基于AlN/AlGaN复合成核技术的应力调控方案,首次实现了大尺寸范德瓦耳斯(vdW)异质外延材料应力的有效管控,研制的GaN微波材料的弯曲度(Bow)为+20.4μm,(002)/(102)面半峰全宽为471.6/933.5 arcsec,表面均方根粗糙度为0.52 nm,电子迁移率达到2000 cm^(2)/(V·s)。最后,基于机械剥离实现了大尺寸晶圆级GaN微波材料与蓝宝石衬底的分离,为高导热衬底转移提供便利,为大功率射频器件的制作创造条件。

关键词：范德瓦耳斯异质外延金属有机化学气相沉积 GaN微波材料少层BN 应力调控

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增强型并行口EPP协议及其在CAN监控节点中的应用

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电子技术应用 2000年第4期26卷 13-15页

作者：吴楠梁再信中国单片机公共实验室 100101

针对微机并行口在ＣＡＮ监控节点中的实际应用，详细介绍了微机并行口ＥＰＰ协议和ＣＡＮ监控节点的设计。

关键词：并行接口 EPP协议计算机控制监控节点

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单片机应用推广中应注意解决的问题

电子产品世界 1997年第1期4卷 63-65页

作者：何立民中国微机单片微机学会

从第一届全国单片机学术交流会至今已整整十年,我国单片机应用推广已大见成效,但与之相比,新型单片机及其周边技术的发展似乎更快,大有追赶不及之感。如何适应这一形势,把我国单片机应用研究提高到一个新水平,是单片机学会面临的一个新... 详细信息

从第一届全国单片机学术交流会至今已整整十年,我国单片机应用推广已大见成效,但与之相比,新型单片机及其周边技术的发展似乎更快,大有追赶不及之感。如何适应这一形势,把我国单片机应用研究提高到一个新水平,是单片机学会面临的一个新任务。笔者就以下九个问题提出一些粗浅看法。一、拓宽单片机的选择空间目前单片机已成为现代化智能技术的最基础的嵌入式工具,世界各大电气商、电子商无不把它当作一个基础产业加以发展,并努力打入中国市场。

关键词：单片机外围器件串行扩展总线

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大功率微波器件的多物理场耦合设计方法

大功率微波器件的多物理场耦合设计方法

“小天地里大乾坤”,微米纳米技术赋能新质生产力

2024年全国微波毫米波会议（中国微波年会）

作者：吴若男张楚贤赵义超王业欢刘文成蔡立兵北京航天微机电技术研究所

基于大功率微波器件高频电磁场和温度场双向耦合机理,提出一种电磁-热双向耦合设计流程和方法,并以Ka频段波导隔离器为例,进行了高功率温度稳定性的设计,通过样机实测,验证了本文高功率热设计方法的有效性和精确性。

关键词：高功率全反射多物理场耦合波导隔离器

来源： cnki会议评论

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前瞻科技 2024年第3期3卷 4-6页

作者：段文晖中国微米纳米技术学会中国科学院

微机电系统(Microelectromechanical System,MEMS)和纳米科技这两种典型微米纳米技术,其灵感和构想均可追溯至1959年12月29日,理查德·菲利普·费曼(Richard Phillips Feynman)教授在美国加州理工学院举行的美国物理学会年会上所发表的... 详细信息

微机电系统(Microelectromechanical System,MEMS)和纳米科技这两种典型微米纳米技术,其灵感和构想均可追溯至1959年12月29日,理查德·菲利普·费曼(Richard Phillips Feynman)教授在美国加州理工学院举行的美国物理学会年会上所发表的著名演讲——There’s Plenty of Room at the Bottom。他指出:“如果人类能够在原子/分子的尺度上加工材料、制备装置,我们将有许多激动人心的新发现,我们需要新型的微型化仪器来操纵纳米结构并测定其性质”。时至今日,纳米科技与MEMS的发展,均可将费曼的那次演讲视为一个伟大的预言和开端。

关键词：纳米科技微机电系统制备装置费曼著名演讲