检索结果-南通市图书馆

微电子技术 1999年第3期27卷 58-60页

作者：张伟民中国华晶电子集团公司无锡214061

本文主要介绍VDmos管的制造工艺与结构，并将VDmos管的特性与双极晶体管作比较，突出了VDmos管在电子镇流器中作为开关管的优势，对VD－mos管在电子镇流器中的具体使用条件作了说明。

关键词： VDmos管电子镇流器

高技术新产品从开发到市场化过程的关健──初期管理

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

微电子技术 1996年第4期24卷 1-7页

作者：胡先发中国华晶电子集团公司中国华晶中央研究所无锡214035

当今世界范围内，高技术企业为取得竞争优势，提高市场占有率，不断向市场推出自己的新产品。为减少新产品市场化投资风险，新产品从开发计划、量产到市场的全过程关键──初期管理已成为有识之士关注的热点。从事高新技术研究的研究所... 详细信息

当今世界范围内，高技术企业为取得竞争优势，提高市场占有率，不断向市场推出自己的新产品。为减少新产品市场化投资风险，新产品从开发计划、量产到市场的全过程关键──初期管理已成为有识之士关注的热点。从事高新技术研究的研究所如何面向市场开发新产品，如何将已开发科研样品尽快中试熟化后，连同其技术诀窍和操作经验转向企业大生产并帮助解决随时遇到的技术术问题，工业化，市场化全过程，这是厂与所、科研与生产真正结合的问题所在。本文论述了新产品从开发立项到量产化，市场化过程─—初期管理三个主要机能。品种／质量、数量／交货期、成本／价格及其相互关系，着重强调了初期管理中各种标准及资料、管理资料及组织活动中责、权、利的关系。

关键词：新产品开发市场化电子工业技术管理

与MC68HC05兼容的八位微控制器的软核

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 1999年第1期 123-123页

作者：居水荣郑明中国华晶电子集团公司ＭＯＳ设计所

中国华晶电子集团公司ＭＯＳ设计所已经设计成功了８位通用型高性能单片机的软核，该软核用Ｖｅｒｉｌｏｇ硬件描述语言描述，与摩托罗拉公司的８位单片机系列ＭＣ６８ＨＣ０５内核兼容，其功能如下：１设置了４个可屏蔽的外部中断及一... 详细信息

中国华晶电子集团公司ＭＯＳ设计所已经设计成功了８位通用型高性能单片机的软核，该软核用Ｖｅｒｉｌｏｇ硬件描述语言描述，与摩托罗拉公司的８位单片机系列ＭＣ６８ＨＣ０５内核兼容，其功能如下：１设置了４个可屏蔽的外部中断及一个不可屏蔽的内部软件中断；２具有１...

关键词：软核单片机电子单片微型计算机轻子 MC68HC05 华晶

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

纯水前处理PLC控制系统设计

计算机与现代化 2002年第7期 57-59页

作者：王铨中国华晶电子集团公司江苏无锡214061

主要介绍了基于PLC的控制系统在某厂纯水前处理系统中的应用 ,对其自控系统的控制方式、设备选型。

关键词： PLC 控制系统设计可编程逻辑控制器纯水前处理系统

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

DB3S双触发二极管的失效分析

电子产品可靠性与环境试验 1997年第5期15卷 19-21页

作者：翁寿松黄英中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂中国华晶电子集团公司中央研究所

本文论述了DB3S双触发二极管的原理、电性能、失效模式和失效机理，并提出改进办法。

关键词：双触发二极管失效分析 DB3S

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

mos集成电路电过应力损伤的模式和机理

电子产品可靠性与环境试验 1994年第6期12卷 24-28页

作者：吴建忠中国华晶电子集团公司江苏无锡214061

电过应力是造成mos集成电路损坏的主要原因.本文结合静电放电的三种模型,详细分析了mos集成电路电过应力损伤的模式和机理.

关键词： mos 集成电路静电放电模型失效分析

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

薄膜SOI器件和材料的研究和发展方向

微电子技术 1994年第5期22卷 13-23页

作者：舒学镛何小乐中国华晶电子集团公司技术支援中心无锡214061

随着微电子技术的高速发展，尤其是微细加工技术的突破，器件按比例缩小至涤亚微米（0.25μm）以下时，传统体硅工艺已不适用了，而薄膜SOI器件因具有集成度高、工作速度快、抗辐照能力强以及工艺简便等优点而受到人们的青睐。本文主要... 详细信息

随着微电子技术的高速发展，尤其是微细加工技术的突破，器件按比例缩小至涤亚微米（0.25μm）以下时，传统体硅工艺已不适用了，而薄膜SOI器件因具有集成度高、工作速度快、抗辐照能力强以及工艺简便等优点而受到人们的青睐。本文主要介绍国外SOI薄膜材科的制备方法和研究动向以及国外薄膜SOI器件的研究现状及未来的发展方向。

关键词： SOI器件薄膜材料硅直接键合 mos器件

256M/1G DRAM工艺及前道制造设备

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子工业专用设备 1997年第2期26卷 12-18页

作者：翁寿松中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂

介绍２５６Ｍ／１ＧＤＲＡＭ产品技术指标、工艺及前道制造设备，包括光刻机、腐蚀设备、离子注入设备、热处理设备。

关键词： 256M/1G DRAM 设备半导体制造工艺光刻

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

256M/1G DRAM生产线的检测设备

电子工业专用设备 1998年第1期27卷 20-25页

作者：翁寿松中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂

介绍２５６Ｍ／１ＧＤＲＡＭ生产线的检测设备，包括裸圆片、带图形圆片、膜厚及特性、条宽／线宽、掩模版、后道工序、环境检测设备、成品测试和环境试验设备。

关键词： 256M/1GDRAM 检测设备 IC 生产线

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

超薄LPCVD二氧化硅膜栅介质

微电子技术 1994年第2期22卷 26-33页

作者：初桂珍中国华晶电子集团公司中研所无锡214035

本文介绍低温生长的薄LPCVD二氧化硅膜经短时间热退火后，热氮化后的物理及电学性质。与热生长二氧化硅膜性质进行比较，结果表明，LPCVD二氧化硅膜许多性质优于热生长二氧化硅膜。适合做mos晶体管的栅介质。文中重点指出，小于10nm的... 详细信息

本文介绍低温生长的薄LPCVD二氧化硅膜经短时间热退火后，热氮化后的物理及电学性质。与热生长二氧化硅膜性质进行比较，结果表明，LPCVD二氧化硅膜许多性质优于热生长二氧化硅膜。适合做mos晶体管的栅介质。文中重点指出，小于10nm的超薄的LPCVD二氧化硅膜经快速热退火或热氮化后做mos晶体管的栅介质，其电学特性优于热生长二氧化硅膜做栅介质的mos晶体管。在低温器件及超大规模集成电路中有广泛的应用前景。

关键词：二氧化硅薄膜栅介质 LPCVD