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挤压模障碍角作用质疑

塑性工程学报 2006年第2期13卷 67-69页

作者：周亮中南大学材料学院加工系长沙410083

型材挤压的流动均匀性关系到制品尺寸的稳定性,目前常用的控制流动的方法是调整挤压模工作带的大小,采用先导模、扁挤压筒、开促流角、开障碍角等措施。开障碍角的办法由于其自身的可操作性问题和增加阻力机理不明确,并没有广泛地应用... 详细信息

型材挤压的流动均匀性关系到制品尺寸的稳定性,目前常用的控制流动的方法是调整挤压模工作带的大小,采用先导模、扁挤压筒、开促流角、开障碍角等措施。开障碍角的办法由于其自身的可操作性问题和增加阻力机理不明确,并没有广泛地应用。针对这一情况,文章对障碍角的作用从模拟实验和理论角度进行了探讨,试图澄清障碍角作用的误区。

关键词：挤压模障碍角模拟塑性力学

Al-Mg-Mn和Al-Mg-Mn-Sc-Zr合金的再结晶

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材料工程 2004年第6期32卷 3-6页

作者：尹志民朱大鹏姜锋中南大学材料学院长沙410083

研究了Al-Mg-Mn和Al-Mg-Mn-Sc-Zr合金冷轧后在不同退火温度下合金的组织和性能的变化。结果表明,与不添加钪和锆的合金相比,复合添加0.4%Sc(质量分数)和Zr能使Al-Mg-Mn合金的再结晶开始温度提高120℃左右。添加微量Sc和Zr合金没有明显... 详细信息

研究了Al-Mg-Mn和Al-Mg-Mn-Sc-Zr合金冷轧后在不同退火温度下合金的组织和性能的变化。结果表明,与不添加钪和锆的合金相比,复合添加0.4%Sc(质量分数)和Zr能使Al-Mg-Mn合金的再结晶开始温度提高120℃左右。添加微量Sc和Zr合金没有明显再结晶终了温度,在接近熔点时显微组织仍是加工态纤维组织。Sc,Zr复合添加形成的纳米级的二次Al3(Sc,Zr)相质点,对位错和亚晶界有强烈的钉扎作用,再结晶难以形核和长大,从而有效地抑制冷轧后退火过程中的再结晶。

关键词：钪锆 Al-Mg-Mn合金再结晶

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3种高强铝合金的低温拉伸力学性能研究

金属热处理 2007年第1期32卷 53-56页

作者：刘瑛张新明李慧中刘波高慧李惠杰中南大学材料学院湖南长沙410083

利用拉伸测试、扫描电镜与透射电镜等手段,研究了2519-T87、2219-T81以及7039-T6三种铝合金板材的拉伸力学性能。结果表明,当变形温度由室温293 K降至77 K时,3种合金的屈服强度与抗拉强度均有所提高,其中抗拉强度分别提高23.1%、12.0%及... 详细信息

利用拉伸测试、扫描电镜与透射电镜等手段,研究了2519-T87、2219-T81以及7039-T6三种铝合金板材的拉伸力学性能。结果表明,当变形温度由室温293 K降至77 K时,3种合金的屈服强度与抗拉强度均有所提高,其中抗拉强度分别提高23.1%、12.0%及6.2%。同时3种合金的伸长率随着温度降低有所提高。由于低温变形过程中平面滑移受抑制,加工硬化指数增加,变形均匀性增强,导致材料的强度增加,塑性有所提高。

关键词：铝合金拉伸性能位错

Fe_3O_4纳米晶的粒径控制合成、表征及其吸波性能

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高等学校化学学报 2008年第1期29卷 23-27页

作者：颜爱国邱冠周刘小鹤史蓉蓉张宁衣冉李永波高冠华中南大学资源加工与生物工程学院无机材料系长沙410083

采用十二烷基磺酸钠和聚乙二醇作为保护剂，成功地制备出Fe3O4纳米晶．通过改变实验条件，可在10～200nm范围内有效调控Fe3O4纳米晶的粒径．采用X射线衍射仪、透射电子显微镜和扫描电子显微镜等对样品的微观结构、粒径和形貌进行了分析... 详细信息

采用十二烷基磺酸钠和聚乙二醇作为保护剂，成功地制备出Fe3O4纳米晶．通过改变实验条件，可在10～200nm范围内有效调控Fe3O4纳米晶的粒径．采用X射线衍射仪、透射电子显微镜和扫描电子显微镜等对样品的微观结构、粒径和形貌进行了分析．结果表明，所得尖晶石型Fe3O4纳米晶粒径均匀，形貌均为球形．利用振动样品磁场计测量了不同粒径样品的磁性能．结果显示，粒径小时，随着粒径的增加，Fe3O4的饱和磁化强度Ms逐渐增加，但当粒径增加到80nm时，Ms达到最大值；随着粒径的减小，矫顽力也随之减小．利用矢量网络分析仪对不同粒径样品的电磁性能和吸波性能进行了研究，结果表明，当Fe3O4纳米晶的粒径小于100nm时，吸波性能良好，其中，粒径为20nm的样品吸收峰的峰值在8GHz附近达到了-32dB．

关键词： Fe3O4纳米晶溶剂热法粒径控制磁性能吸波性能

分散剂CTAB对碳纳米管悬浮液分散性能的影响

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无机材料学报 2007年第6期22卷 1122-1126页

作者：肖奇王平华纪伶伶谭小科欧阳林莉中南大学资源加工与生物工程学院无机材料系长沙410083

以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为分散剂,制备了分散性能良好的碳纳米管悬浮液.通过测定等温吸附曲线和悬浮液的Zeta电位,研究了CTAB对碳纳米管表面性质的影响.结果表明,CTAB的加入使Zeta电位由-29mV变为65mV左右;等温吸附曲线表明,CTAB... 详细信息

以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为分散剂,制备了分散性能良好的碳纳米管悬浮液.通过测定等温吸附曲线和悬浮液的Zeta电位,研究了CTAB对碳纳米管表面性质的影响.结果表明,CTAB的加入使Zeta电位由-29mV变为65mV左右;等温吸附曲线表明,CTAB在碳纳米管表面为"两阶段吸附",CTAB浓度为9×10^(-4)mol·L^(-1)时,在碳纳米管表面达到饱和吸附.通过悬浮碳纳米管浓度测定确定了所需最佳CTAB的用量为9×10^(-4)mol·L^(-1)左右,同时对CTAB的吸附分散机理进行了分析和讨论.

关键词：碳纳米管十六烷基三甲基溴化铵(CTAB) 分散

纳米SiO_2浆料中半导体硅片的电化学腐蚀研究

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人工晶体学报 2008年第2期37卷 435-440页

作者：宋晓岚刘宏燕杨海平岳汉威邱冠周中南大学资源加工与生物工程学院无机材料系长沙410083

采用电化学直流极化和交流阻抗技术,研究了n型(111)半导体硅片在不同条件纳米SiO2浆料中的电化学腐蚀性能。结果表明,浆料的pH值、温度、磨粒固含量以及金属杂质离子等因素都不同程度地影响硅片的腐蚀行为。随pH值增加、温度提高和磨粒... 详细信息

采用电化学直流极化和交流阻抗技术,研究了n型(111)半导体硅片在不同条件纳米SiO2浆料中的电化学腐蚀性能。结果表明,浆料的pH值、温度、磨粒固含量以及金属杂质离子等因素都不同程度地影响硅片的腐蚀行为。随pH值增加、温度提高和磨粒固含量降低,其腐蚀电流增大,交流阻抗减小,硅片腐蚀较易进行;微量金属杂质离子的存在也会加速硅片的腐蚀。

关键词： n(111)硅片纳米SiO2浆料电化学腐蚀

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碳纳米管共价功能化

化学进展 2007年第1期19卷 101-106页

作者：肖奇王平华司知蠢中南大学资源加工与生物工程学院无机材料系长沙410083

碳纳米管由于其独特的结构与优异的性能,在许多领域具有巨大的应用潜力,已引起了广泛的关注。由于碳纳米管不溶于水和有机溶剂,极大地制约了其性能应用,因此碳纳米管的功能化就成为目前研究的热点。本文侧重于碳纳米管的共价功能化,详... 详细信息

碳纳米管由于其独特的结构与优异的性能,在许多领域具有巨大的应用潜力,已引起了广泛的关注。由于碳纳米管不溶于水和有机溶剂,极大地制约了其性能应用,因此碳纳米管的功能化就成为目前研究的热点。本文侧重于碳纳米管的共价功能化,详细讨论了碳纳米管不同位置共价功能化的研究进展。

关键词：碳纳米管功能化修饰

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氧空位对多孔氧化锆光学性质的影响

物理化学学报 2011年第12期27卷 2900-2906页

作者：欧阳静宋幸泠林明跃邹琚李晶晶朱江平杨华明中南大学资源加工生物工程学院无机材料系长沙410083

以多孔氧化锆(ZrO2)材料的制备与光学性质为基础,讨论了氧空位对光学发光性能的影响及氧化锆发光性质的位形坐标图.以水热法制备的多孔ZrO2粉体具有由结晶不完整的ZrO2颗粒堆积而成的多孔结构,产物的比表面积达151.9m2·g-1.检测了样品... 详细信息

以多孔氧化锆(ZrO2)材料的制备与光学性质为基础,讨论了氧空位对光学发光性能的影响及氧化锆发光性质的位形坐标图.以水热法制备的多孔ZrO2粉体具有由结晶不完整的ZrO2颗粒堆积而成的多孔结构,产物的比表面积达151.9m2·g-1.检测了样品的光吸收和光致发光(PL)性能,并用解卷积方法对样品的光致发光谱进行了分析,发现了不同于以前的结果.多孔ZrO2的主要光致发光峰位于蓝紫色光区,而经过H3PO4处理后的样品的发光峰红移至蓝绿色发光区,样品的多孔结构和磷的存在并不能使ZrO2中产生新的发光峰.分析结果显示氧空位在产物中形成一个新的能级,在发光性质中起着捕获电子形成色心而导致荧光发光的作用.

关键词：多孔ZrO2 光学性质位形坐标氧空位

纳米SiO_2浆料中半导体硅片的化学机械抛光速率及抛光机理

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硅酸盐学报 2008年第8期36卷 1187-1194页

作者：宋晓岚刘宏燕杨海平张晓伟徐大余邱冠周中南大学资源加工与生物工程学院无机材料系长沙410083

采用电化学方法,研究了SiO2浆料pH值、H2O2浓度、固体含量以及抛光转速、压力和时间等不同抛光工艺参数对n型半导体单晶硅片(100)和(111)晶面化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)去除速率的影响和作用机理。结果表明:抛光... 详细信息

采用电化学方法,研究了SiO2浆料pH值、H2O2浓度、固体含量以及抛光转速、压力和时间等不同抛光工艺参数对n型半导体单晶硅片(100)和(111)晶面化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)去除速率的影响和作用机理。结果表明:抛光速率随SiO2固体含量、抛光转速及压力的增加而增大,随抛光时间的增加而减小;在pH值为10.5和H2O2为1%(体积分数)时,抛光速率出现最大值;相同抛光工艺条件下(100)晶面的抛光速率远大于(111)晶面。半导体硅片CMP过程是按照成膜(化学腐蚀作用)→去膜(机械磨削作用)→再成膜→再去膜的方式进行,直到最终全局平坦化。实验所获得适合n型半导体硅片CMP的优化工艺参数为:5%～10%SiO2(质量分数),pH=10.5,1%H2O2,压力为40kPa及(110)晶面和(111)晶面的抛光转速分别为100r/min和200r/min;在该条件下10%SiO2浆料中抛光30min得到的抛光硅片的表面粗糙度为0.7nm左右。

关键词：化学机械抛光电化学方法单晶硅片纳米二氧化硅浆料抛光速率