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泡沫金属孔密度对石蜡相变传热强化的影响机理

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流体机械 2024年第5期52卷 1-8,54页

作者：朱刘灿王子龙金谦胡常青上海理工大学能源与动力工程学院上海200093 克拉玛依碳和网络科技有限公司新疆克拉玛依834000 上海铂世光半导体科技有限公司上海201700

为了探究泡沫金属孔密度对相变材料熔化过程中流动传热特性的影响,通过试验设计并搭建了1套半圆柱形的可视化蓄热装置,分析了孔密度对复合相变材料熔化过程中温度分布、固液相界面、换热系数等热特性的影响机理。结果表明:泡沫金属铜能... 详细信息

为了探究泡沫金属孔密度对相变材料熔化过程中流动传热特性的影响,通过试验设计并搭建了1套半圆柱形的可视化蓄热装置,分析了孔密度对复合相变材料熔化过程中温度分布、固液相界面、换热系数等热特性的影响机理。结果表明:泡沫金属铜能够提高内部石蜡的温度响应速率,缩短熔化时间,并减小相变材料内部温度梯度;纯石蜡和孔密度为0.20,0.59,0.98 mm^(-1)的铜复合相变材料在石蜡熔化后的温度梯度分别为35.26,12.19,20.49,28.39 K;自然对流换热占比也随着泡沫金属铜孔密度的增加而减小;当加热功率为30 W时,孔密度为0.20,0.59,0.98 mm^(-1)的铜复合相变材料自然对流占比分别为20.72%,19.33%,18.24%,且自然对流占比均小于50%,表明在填充率为1.28%的条件下,泡沫金属铜复合相变材料的传热机制以热传导为主。研究结果可为相变蓄热系统的设计提供参考。

关键词：泡沫金属孔密度相变储能强化传热

基于半导体晶圆冷却工艺的冷却盘体设计及制备

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现代制造技术与装备 2024年第4期60卷 48-50页

作者：鲍伟江上海睿昇半导体科技有限公司上海200000

晶圆是一种制作硅半导体积体电路所用的硅晶片,是制作半导体芯片的基本材料,在半导体集成电路等芯片(Integrated Circuit Chip,IC)产业具有重要地位,因此对晶圆制作工艺要求极高。以晶圆冷却工艺为出发点,设计并制备一种冷却盘体。首先... 详细信息

晶圆是一种制作硅半导体积体电路所用的硅晶片,是制作半导体芯片的基本材料,在半导体集成电路等芯片(Integrated Circuit Chip,IC)产业具有重要地位,因此对晶圆制作工艺要求极高。以晶圆冷却工艺为出发点,设计并制备一种冷却盘体。首先,通过分析选择不锈钢+表面镀镍层铜作为冷却盘体的制作材料。其次,设计分析冷却盘体的结构、厚度及制作工艺,并得出设计创新点。最后,实际使用效果显示,该冷却盘体的散热速率可达2.68℃·s^(-1),且在实施冷却降温过程中没有发生变形及铜离子泄漏问题,也未出现漏水、漏气问题。

关键词：半导体晶圆冷却盘体散热速率

危险化学品企业电气防爆现状分析及管理对策研究

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中国科技期刊数据库工业A 2024年第5期 0193-0196页

作者：丁鹏上海新微半导体有限公司上海200000

在危险化学品企业的生产过程中,电气防爆是保障生产安全的重要环节。电气设备在运行过程中可能产生电火花或热效应,成为引发爆炸事故的潜在危险源。本文通过对当前危险化学品企业电气防爆现状的深入分析,揭示了存在的风险点和管理漏洞,... 详细信息

在危险化学品企业的生产过程中,电气防爆是保障生产安全的重要环节。电气设备在运行过程中可能产生电火花或热效应,成为引发爆炸事故的潜在危险源。本文通过对当前危险化学品企业电气防爆现状的深入分析,揭示了存在的风险点和管理漏洞,并在此基础上提出了一系列管理对策。研究发现,多数企业在电气防爆意识、防爆技术应用、安全管理制度等方面存在不足。因此,本文建议加强全员防爆安全教育,提升电气防爆技术水平,规范防爆型电气设备选配标准,以及强化设备的运行与维护,以降低危险化学品企业的安全风险,确保生产的稳定性和人员的安全性。

关键词：危险化学品电气防爆安全生产电气设备

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碲锌镉探测器固有空间线性特性研究

中国医疗器械信息 2024年第5期30卷 42-44,52页

作者：杨志山马鑫上海光脉医疗科技有限公司上海201204

目的:应用碲锌镉半导体晶体探测器的单光子发射计算机断层成像(SPECT)系统其探测器的固有空间线性参数与碲锌镉晶体自身的物理特性因素有关,基于碲锌镉半导体晶体的探测器无须复杂的运算电路和位置电路进行计算和定位,因而无须定期校准... 详细信息

目的:应用碲锌镉半导体晶体探测器的单光子发射计算机断层成像(SPECT)系统其探测器的固有空间线性参数与碲锌镉晶体自身的物理特性因素有关,基于碲锌镉半导体晶体的探测器无须复杂的运算电路和位置电路进行计算和定位,因而无须定期校准或重复进行固有空间线性测试及报告。方法:根据美国电气制造商协会NEMA NU-1标准中2.2章节中固有空间线性的测试描述及相关要求,结合测试碲锌镉晶体探测器尺寸,设置实验测试方法。结果:通过该实验可证实碲锌镉晶体探测器的固有空间线性在可容忍的接受范围内。结论:碲锌镉晶体探测器的固有空间线性仅与晶体自身的物理特性相关,其设备自身无复杂的运算电路和位置电路进行计算和定位,因而采用碲锌镉晶体探测器的SPECT无须定期校准或重复进行固有空间线性测试及报告。

关键词：固有线性美国电气制造商协会碲锌镉单光子发射计算机断层成像

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半导体纯锡电镀镀层变色问题探讨

中国科技期刊数据库工业A 2024年第7期 0156-0159页

作者：刘金霞上海新阳半导体材料股份有限公司上海200000

本文深入探讨半导体封装纯锡电镀工艺镀层变色问题。对高温、高湿等不同环境下镀层表面变色的原因进行了分析,包括多方面的因素,如去毛刺溶液的浸泡、前处理、框架基材、镀层结晶及厚度、后处理等,对镀层表面变色同时,对镀层内部变色问... 详细信息

本文深入探讨半导体封装纯锡电镀工艺镀层变色问题。对高温、高湿等不同环境下镀层表面变色的原因进行了分析,包括多方面的因素,如去毛刺溶液的浸泡、前处理、框架基材、镀层结晶及厚度、后处理等,对镀层表面变色同时,对镀层内部变色问题的研究显示,其中的镀液混浊和悬浮微粒对镀层质量的影响是显而易见的。还介绍了防变色剂在解决镀层变色问题上的应用,对其作用机理和使用效果进行了详细的阐述,并在使用过程中提出了应注意的事项。通过这些分析和探讨,旨在提供有效的解决半导体封装纯锡电镀过程中镀层变色问题的方法。

关键词：半导体纯锡电镀镀层变色

基于微转印方法实现III-V-on-SOI异质集成光电探测器

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光通信研究 2024年

作者：王兆璁权志恒郑施冠卿朱岩叶楠陆梁军周林杰宋英雄上海交通大学区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室上海交通大学平湖智能光电研究院上海大学特种光纤与光接入网重点实验室湖北省武汉市九峰山实验室工艺中心 3. 北京英孚瑞半导体科技有限公司

【目的】硅基光电子平台具有低成本制造、高集成密度、高传输速度的优势，但受限于硅材料的光电性能，单晶硅难以直接实现光纤通信O/C波段的高响应度探测。InP基InGaAs材料在光纤通信的O/C波段具有1.0 × 10 cm-2的吸收系数，可制成具... 详细信息

【目的】硅基光电子平台具有低成本制造、高集成密度、高传输速度的优势，但受限于硅材料的光电性能，单晶硅难以直接实现光纤通信O/C波段的高响应度探测。InP基InGaAs材料在光纤通信的O/C波段具有1.0 × 10 cm-2的吸收系数，可制成具有较高吸收效率的有源光探测器件。因此，通过异质集成的方式，将InGaAs/InP有源器件与硅基波导结合成为基于硅光子平台实现高效光电探测器的一个可行方向。大晶格失配及热膨胀系数的差异使得通过外延生长技术实现大规模集成变得非常困难，而键合集成技术中的微转印技术可以实现微米尺度量级的集成，进而低成本、高效率的制备出异质集成器件。而在该技术的现有制备流程中，通过刻蚀牺牲层实现器件与衬底分离的方案需要极高的工艺积累。文章的研究目的是在保留探测器原衬底的情况下，利用微转印方法实现InGaAs/InP 雪崩光电探测器件与绝缘体上硅(SOI)光栅耦合器的直接键合集成。【方法】在研究方法上，文章研究了微转印方法的基本原理，搭建了微转印实验平台。通过微转印方法实现了III-V族雪崩光电探测器(APD)样片与SOI光栅耦合器(GC)的异质集成，基于测试结果评估微转印方法的可行性。【结果】通过微转印集成获得的异质集成光电探测器，响应带宽约为4 GHz，暗电流约为13 nA(@-13 V)，与该样片集成前的性能测试数据基本一致。受到耦合损耗的影响，集成后整体结构的响应度为7.3 × 10-3A/W(@-25 V)。排除输入端光纤-光栅耦合器的损耗之后，集成器件的响应度约1.8 × 10-2A/W(@-25 V)。【结论】文章的工作验证了基于微转印方法实现III-V族雪崩光电探测器与SOI波导平台进行异质集成的可行性。通过保留InP衬底，使微米级×微米级尺度的APD光电探测器与SOI光栅耦合器通过InP衬底/硅基光子平台界面间的范德华力实现了直接键合集成，以此简化微转印工艺的实施流程而提高集成效率。通过实验可以验证，集成前/后器件的暗电流和带宽性能基本保持不变。

关键词：硅基光电子异质集成微转印光电探测器

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负性光敏聚酰亚胺的种类及研究进展

华东理工大学学报（自然科学版） 2024年第1期50卷 15-29页

作者：孙孟冉罗雄科陶克文王义明王杰郭旭虹华东理工大学化工学院上海200237 上海泽丰半导体科技有限公司上海201206 绿色能源化工国际联合研究中心上海200237

由于优异的综合性能,负性光敏聚酰亚胺已成为微电子领域不可或缺的材料,根据负性光敏聚酰亚胺结构和合成工艺的不同,总结了其主要种类和研究进展。随着微电子技术的高度集成化和扇出型晶圆级封装技术的发展,对负性光敏聚酰亚胺材料提出... 详细信息

由于优异的综合性能,负性光敏聚酰亚胺已成为微电子领域不可或缺的材料,根据负性光敏聚酰亚胺结构和合成工艺的不同,总结了其主要种类和研究进展。随着微电子技术的高度集成化和扇出型晶圆级封装技术的发展,对负性光敏聚酰亚胺材料提出了更高的要求,如更低的介电常数、更低的热膨胀系数和更低的固化温度等。本文进一步介绍了负性光敏聚酰亚胺材料的不同改性方法及其微观作用机制,并对比分析了各类改性方法的优缺点,为高性能负性光敏聚酰亚胺材料的设计开发提供理论基础。

关键词：负性光敏聚酰亚胺改性介电常数热膨胀系数低温固化

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基于GMD1002芯片的电压采集系统设计与优化

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湖北工业大学学报 2024年第4期39卷 93-97页

作者：张泽姚育成鲍迪李珉澄邓晓月湖北工业大学理学院湖北武汉430068 格威半导体(厦门)有限公司上海201203

针对自研的车规级电池管理芯片GMD1002,设计了以STM32为主控芯片的电池电压采集系统以及数字滤波器。并采用精密电源和模拟电芯对系统的固定电压采集、斜坡电压采集及电压均衡性管理等性能进行了相关测试。结果表明:数字滤波器能有效降... 详细信息

针对自研的车规级电池管理芯片GMD1002,设计了以STM32为主控芯片的电池电压采集系统以及数字滤波器。并采用精密电源和模拟电芯对系统的固定电压采集、斜坡电压采集及电压均衡性管理等性能进行了相关测试。结果表明:数字滤波器能有效降低瞬态脉冲的影响,固定电压读取误差在1 mV之内;在0~3.2768 V范围内,斜坡电压读取误差在2 mV以内。芯片内部的电池均衡控制性能正常,具有良好的电池管理功能。

关键词：电池管理芯片数字滤波器电池均衡控制电压采集

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微带线的静电放电实验与仿真研究

安全与电磁兼容 2024年第1期 78-82,95页

作者：张腾邱明佳申云龙零束科技有限公司上海宏景智驾科技有限公司

由于存在复杂的强电磁噪声干扰,基于印制电路板的静电放电测试过程存在可重复率低、失真度高、难度大等问题。构建了一种简易的静电放电测试台架,重点研究微带线在导体传导途径中所引发的静电放电电压耦合现象的可测量性,并通过与仿真... 详细信息

由于存在复杂的强电磁噪声干扰,基于印制电路板的静电放电测试过程存在可重复率低、失真度高、难度大等问题。构建了一种简易的静电放电测试台架,重点研究微带线在导体传导途径中所引发的静电放电电压耦合现象的可测量性,并通过与仿真数据的对比,验证了该测试方法的可靠性,从而有助于提高电子产品设计研发阶段的静电放电评估工作的效率。

关键词：印制电路板静电放电导体传导电压耦合