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内冲击激发式安全雷管的研制与适配性测试

火工品 2025年第1期 1-6页

作者：邓小娟代鹏举董金龙刘晓娟王爱上海鲲程电子科技有限公司上海201100 广东宏大民爆集团有限公司广东广州510000 湖南湘科控股集团有限公司湖南长沙410000 江西新余国泰特种化工有限责任公司江西新余338000 湖南神斧集团湘南爆破器材有限责任公司湖南永州425000

针对工业雷管在使用过程中因起爆药感度高而引发的安全事故和环境污染问题,研制了一种新型内冲击激发式安全雷管(简称“IID雷管”),并开展其与不同点火药的适配性测试。通过采用猛炸药作为主要装药,以及设计激发组件,实现了高效有序的... 详细信息

针对工业雷管在使用过程中因起爆药感度高而引发的安全事故和环境污染问题,研制了一种新型内冲击激发式安全雷管(简称“IID雷管”),并开展其与不同点火药的适配性测试。通过采用猛炸药作为主要装药,以及设计激发组件,实现了高效有序的起爆和传爆过程;通过与不同点火药的适配测试,以及对起爆能力、延期精度等关键功能的全面评估,验证了IID雷管在与LTNR和K-K等药剂适配时,各项性能均满足行业标准。此外,IID雷管结构工艺简单、安全环保,具有广泛的应用前景。

关键词：安全雷管数码电子雷管内冲击激发无起爆药雷管激发组件

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表面层型半导体陶瓷电容器

电子学报 2000年第8期28卷 142-142,138页

作者：王振平赵俊斌李勇章士瀛东莞宏明南方电子陶瓷有限公司

1 引言半导体陶瓷电容器(以下简称半导C)特大的比体积电容量(MF/cm3)是传统陶瓷电容器所不可比拟的.这种小型化的新型元件具有颇具吸引力的市场潜力.特别是在尚未100%或不需100%采用SMT组装技术的电子产品中,如电视机、计算机、音响、... 详细信息

1 引言半导体陶瓷电容器(以下简称半导C)特大的比体积电容量(MF/cm3)是传统陶瓷电容器所不可比拟的.这种小型化的新型元件具有颇具吸引力的市场潜力.特别是在尚未100%或不需100%采用SMT组装技术的电子产品中,如电视机、计算机、音响、电话机、电子玩具、白色家电……等产品中的耦合、隔流、滤波、旁路等电路中使用半导C,无疑是最佳选择.目前市场需求热点是Y5V、Y5U、Y5P三种温度特性组别的Ba-TiO3基表面层型半导C和具有更佳温度特性、频率特性和更高使用频率(达几GHz)的SrTio3基晶界层型半导C.国际市场年需求量近300亿只,国内年需求量约50亿只左右,在总需求量中表面层型半导C约占91%～95%,晶界层型半导C约占5%～10%.半导C的生产关键是半导化瓷片的制造技术和设备,国内大多数厂家由于不具备这种技术和设备,所以长期依靠进口进行后工序加工.'东莞宏明'公司利用产学研优势,利用和国外厂商技术交流的机会,并通过自身的努力研制成功关键的设备--气氛烧结组合炉(专利号72.992.364205),并成功地掌握了半导C瓷片和半导C的制造技术,于1999年12月在信息产业部主持下,通过了半导C的生产定型,获得鉴定委员会专家们的高度评价.目前已形成年产6亿只半导体瓷片能力,很快将扩大至12亿只/年的生产能力.本文仅就表面层型半导体C的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数作一简要介绍.

关键词：表面层型半导体陶瓷电容器

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表面层型半导体陶瓷电容器的开发及产业化

材料导报 2000年第9期14卷 66-68页

作者：王振平赵俊斌李勇章士瀛东莞宏明南方电子陶瓷有限公司东莞523077

表面层型半导体陶瓷电容器的开发成功,是我国新型元件领域中的一项高新技木及其产业化的突破。重点介绍了表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构和原理。本项目开发创新成果:隧道式气氛烧结组合炉,还原气氛的获取,半导化及再氧化技术,工... 详细信息

表面层型半导体陶瓷电容器的开发成功,是我国新型元件领域中的一项高新技木及其产业化的突破。重点介绍了表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构和原理。本项目开发创新成果:隧道式气氛烧结组合炉,还原气氛的获取,半导化及再氧化技术,工程中设计参数及氧化层厚度观察及量测技术等。

关键词：表面层型结构原理半导体陶瓷电容器产业化

SEM二次电子成像在半导体陶瓷电容器研制中的应用

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电子显微学报 2001年第4期20卷 402-403页

作者：章仲涛李静王振平章士瀛东莞宏明南方电子陶瓷有限公司东莞523077

半导体陶瓷电容器的瓷坯为小圆片.瓷片经过烧结、还原半导化和再氧化后,表面形成很薄的氧化介质层,中间是n型半导体,电阻很小,起连接导通作用.瓷片两表面印制电极后,等效于一对串联电容器.由于氧化介质层很薄,且为高介电材料,所以能够... 详细信息

半导体陶瓷电容器的瓷坯为小圆片.瓷片经过烧结、还原半导化和再氧化后,表面形成很薄的氧化介质层,中间是n型半导体,电阻很小,起连接导通作用.瓷片两表面印制电极后,等效于一对串联电容器.由于氧化介质层很薄,且为高介电材料,所以能够获得很大的电容量.其结构示意图如图1.半导体部分和氧化介质层部分虽然材料是一致的,但由于晶格结构缺陷(氧缺位),而使半导体和氧化介质层SEM二次电子成像中表现出明显不同的衬度,通过衬度对比,我们测出氧化介质层厚度,并且观察判断氧化程度及其一致性,它们与工艺、性能密切相关,给产品开发和生产提供了十分有用的依据.

关键词：半导体陶瓷电容器 SEM 二次电子成像应用瓷坯氧化介质层晶格缺陷

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新型结构的片式压电陶瓷频率器件研制

电子元件与材料 2013年第9期32卷 65-67页

作者：陈伟王海华陈水琴嘉康电子陶瓷股份有限公司

设计了一种由陶瓷及金属材料制成的新型结构的片式压电陶瓷频率器件,去除了传统结构中的塑料外壳、灌封及簧片引出。所制器件具有较强的抗高温性能,体积小、质量轻,器件采取阵列装配,易于实现自动化、提高生产效率,提供了该类元器件的... 详细信息

设计了一种由陶瓷及金属材料制成的新型结构的片式压电陶瓷频率器件,去除了传统结构中的塑料外壳、灌封及簧片引出。所制器件具有较强的抗高温性能,体积小、质量轻,器件采取阵列装配,易于实现自动化、提高生产效率,提供了该类元器件的小型化应用。关键词:频率器件;压电陶瓷;片式元件;新型结构;小型化;

关键词：频率器件压电陶瓷片式元件新型结构小型化耐高温

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一种低功耗可级联拓展的电刺激IC

半导体技术 2025年第1期50卷 64-70页

作者：吴黎霞张轩薛宁姚镭刘春秀中国科学院空天信息创新研究院传感器技术国家重点实验室北京100094 中国科学院大学电子电气与通信工程学院北京100094 上海矩智科技有限公司上海201899 临港实验室上海200031

设计了一种低功耗可级联拓展的电刺激芯片,该芯片主要由16个独立电刺激通道、一个全局数字控制器(GDC)及电流偏置模块组成。每个独立电刺激通道包含一个8 bit数模转换器(DAC)、一个高压刺激前端(SFE)电路以及通道本地数字控制器(LDC),... 详细信息

设计了一种低功耗可级联拓展的电刺激芯片,该芯片主要由16个独立电刺激通道、一个全局数字控制器(GDC)及电流偏置模块组成。每个独立电刺激通道包含一个8 bit数模转换器(DAC)、一个高压刺激前端(SFE)电路以及通道本地数字控制器(LDC),能够输出脉冲幅度/宽度/相位间隔时间可独立配置的单极性双相脉冲刺激电流。GDC控制16个通道的配置和刺激使能,并有一个可进行多芯片级联拓展的控制接口。LDC和GDC共用同一组时钟/数据控制信号,节省了端口资源。提出的电路采用GF 0.18μm CMOS BCD高压工艺进行设计和制备,总面积为1.5 mm×3.1 mm。测试结果表明,在5 V/15 V/-15 V供电下,该电路的静态功耗为2.14μW,最大输出电流为1 mA,输出200μA恒定电流时顺从电压为13.5 V。

关键词：电刺激集成电路(IC) 低功耗可拓展性多通道电刺激器

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叠层片式电感的发展趋势

电子元件与材料 2002年第10期21卷 19-21,24页

作者：张凡深圳南虹电子陶瓷有限公司广东深圳518067

论述了叠层片式电感的发展趋势。指出高频电感应用领域扩大,使用频率不断提高;高频电感尺寸进一步小型化;集成化趋势方兴未艾; 大电流与高频磁珠需求不断增加。

关键词：叠层片式电感发展趋势磁珠小型化集成化

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CLMR SAW滤波器的设计及匹配

压电与声光 2001年第4期23卷 250-252页

作者：朱勇秦廷辉曹亮曾铭四川压电与声光技术研究所重庆400060 东莞宏明南方电子陶瓷有限公司东莞523077

把声表面波 ( SAW)滤波器作为一个网络 ,测出参数 ,通过计算模拟出其最佳的滤波器性能 ,取得较好的匹配参数 ;同时较详细的介绍了复合纵向耦合谐振型 ( CL MR) SAW滤波器的结构 ,给出了 GSM中频用 2 4 6MHz SAW低损耗滤波器的应用实例 ... 详细信息

把声表面波 ( SAW)滤波器作为一个网络 ,测出参数 ,通过计算模拟出其最佳的滤波器性能 ,取得较好的匹配参数 ;同时较详细的介绍了复合纵向耦合谐振型 ( CL MR) SAW滤波器的结构 ,给出了 GSM中频用 2 4 6MHz SAW低损耗滤波器的应用实例 ,未匹配的插入损耗为 8.5 7d B,匹配后插入损耗 4 .3 5 d B,通带波纹 0 .4 5 d B。

关键词：滤波器阻抗匹配 CLMR 声表面波

Li2Mg2.95M0.05TiO6（M=Mg,Zn,Co,Ca）型微波介质陶瓷介电性能研究

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湖南大学学报（自然科学版） 2019年第12期46卷 79-84页

作者：李玉平郭爱芬高应霞陈功田湖南大学材料科学与工程学院湖南长沙410082 郴州功田电子陶瓷技术有限公司湖南郴州423000

采用一步法制备了Li2Mg2.95M0.05TiO6(M为Mg,Zn,Co,Ca)型微波介质陶瓷,讨论了掺杂离子种类对陶瓷烧结行为、组成、微观结构和微波介电性能的影响.结果表明:所得陶瓷样品的主晶相为Li2Mg3TiO6,掺加Mg^2+的样品有少量Mg2TiO4杂质相;掺加Ca... 详细信息

采用一步法制备了Li2Mg2.95M0.05TiO6(M为Mg,Zn,Co,Ca)型微波介质陶瓷,讨论了掺杂离子种类对陶瓷烧结行为、组成、微观结构和微波介电性能的影响.结果表明:所得陶瓷样品的主晶相为Li2Mg3TiO6,掺加Mg^2+的样品有少量Mg2TiO4杂质相;掺加Ca^2+的样品可形成介电常数(εr)高达170,温度系数(τf)达+800×10^-6/℃且能够与主晶相共存形成稳定复合体系的CaTiO3;掺Ca^2+的样品在1370℃保温6 h,可得到介电常数(εr)为16.7,品质因数(Q×f)为83900 GHz,谐振温度系数(τf)接近于0×10^-6/℃的最佳介电性能的样品.

关键词：离子掺杂微波介质陶瓷介电常数品质因素谐振温度系数