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物理学报 1993年第9期42卷 1410-1415页

作者：金春林黎忠臧德鸿叶慧汤家镛杨福家复旦大学物理二系三束材料改性国家重点实验室上海200433

本工作利用热能碱金属原子与炽热W,Pt表面的相互作用,研究了碱金属原子与金属表面的电荷交换,以及金属表面吸附原子后表面功函数的变化。

关键词：碱金属原子钨铂电荷交换表面

Co-Ni/FeMn双层膜中磁化强度对交换偏置的影响

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物理学报 2002年第4期51卷 917-921页

作者：周仕明李合印宋金涛复旦大学应用表面国家重点实验室和复旦大学物理系上海200433 复旦大学光科学与工程系上海200433 复旦大学理科图书馆上海200433

固定Co Ni FeMn双层膜中反铁磁层的厚度 ,改变Co Ni铁磁层的成分来调节磁化强度 ,从而研究铁磁层的饱和磁化强度对Co Ni FeMn双层膜中交换偏置的影响 .研究表明 ,Co Ni FeMn界面的交换耦合能U不是一个常量 ,而是随 (MFM) 1 2 的增加而... 详细信息

固定Co Ni FeMn双层膜中反铁磁层的厚度 ,改变Co Ni铁磁层的成分来调节磁化强度 ,从而研究铁磁层的饱和磁化强度对Co Ni FeMn双层膜中交换偏置的影响 .研究表明 ,Co Ni FeMn界面的交换耦合能U不是一个常量 ,而是随 (MFM) 1 2 的增加而线性增加 .其原因是铁磁层磁矩通过界面相互作用在反铁磁层中形成的局域交换磁场。

关键词：交换偏置磁化强度 Co-Ni/FeMn双层膜铁磁层

原子层淀积Al_2O_3薄膜的热稳定性研究

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无机材料学报 2006年第5期21卷 1217-1222页

作者：卢红亮徐敏丁士进任杰张卫复旦大学微电子学系ASIC与系统国家重点实验室上海200433

以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究．结果表... 详细信息

以Al(CH3)3和H2O为反应源,在270℃下用原子层淀积(ALD)技术在Si衬底上生长了Al2O3薄膜．采用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等分析手段对Al2O3薄膜的热稳定性进行了研究．结果表明刚淀积的薄膜中含有少量Al-OH基团,高温退火后,Al-OH基团几乎消失,这归因于Al-OH基团之间发生反应而脱水．退火后的薄膜中O和Al元素的相对比例(1．52)比退火前的(1．57)更接近化学计量比的***分析表明,在刚淀积的Al2O3中有少量的-CH3存在,-CH3含量会随热处理温度的升高而减少．此外,在高温快速热退火后,Al2O3薄膜的表面平均粗糙度(RMS)明显改善,900℃热退火后其RMS达到1．15nm．

关键词： Al2O3薄膜原子层淀积(ALD) X射线光电子能谱(XPS)

不同预淀积层银膜表面等离子激元波的辐射效率

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光学学报 1998年第11期18卷 1556-1561页

作者：邓里文王恭明复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室

测量了棱镜／ＬＢ膜／银膜／空气、棱镜／银膜／银膜／空气、棱镜／银膜／空气三种结构在衰减全反射条件下激发的表面等离子激元波由于银膜－空气界面粗糙度而散射到空气中的辐射效率。同时，由散射光强分布计算出表面粗糙度参数即横向... 详细信息

测量了棱镜／ＬＢ膜／银膜／空气、棱镜／银膜／银膜／空气、棱镜／银膜／空气三种结构在衰减全反射条件下激发的表面等离子激元波由于银膜－空气界面粗糙度而散射到空气中的辐射效率。同时，由散射光强分布计算出表面粗糙度参数即横向相关长度σ和表面波纹深度δ，再由σ和δ计算出理论辐射效率，理论与实验结果相符合。

关键词：等离子激元波辐射效率光波导器件薄膜

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有机分子膜层间相互作用对聚集体的影响

物理化学学报 1999年第5期15卷 471-475页

作者：王文军徐建华陆兴泽韩奎王恭明王文澄蔡志岗杨佩青周建英复旦大学物理系三束改性国家重点实验室上海200433 复旦大学物理系三束来改性国家重点实验室上海200433 中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室广州510275

Influence of the interiayer interactions on aggregates in Y-type Langmuir-Blodgett multilayers was inveshgated by using steady-state and time-resolved fluorescence techniques. As the interiayer interactions was screened by arachidic acid layers, intralayer interaction of hemicyanine molecules caused formation of H-aggregates and a blue shift of the fluorescence band in interleaving hemicyanine/arachidic acid multilayers. In pure Y-type hemicyanine multilayers, however, the molecules mainly formed J-aggregates leading to a significant red shift of fluorescence band and a larger scale of aggregates due to the stronger interlayer interactions.

关键词：多层膜聚集体时间分辨荧光 LB膜

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锆钛酸铅多层膜的铁电和介电特性

红外与毫米波学报 2008年第3期27卷 169-171,184页

作者：胡古今商景林张婷谢婧孙璟兰褚君浩戴宁中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

研究了特异结构锆钛酸铅PbZr0.38Ti0.62O3(PZT)多层膜的铁电和介电特性.同均一相PZT薄膜材料相比,由致密层和多孔层交替排列形成的近周期PZT多层膜具有铁电、介电增强效应.在100V极化电压下,多层膜的平均剩余极化强度达42.3μC/cm2,矫... 详细信息

研究了特异结构锆钛酸铅PbZr0.38Ti0.62O3(PZT)多层膜的铁电和介电特性.同均一相PZT薄膜材料相比,由致密层和多孔层交替排列形成的近周期PZT多层膜具有铁电、介电增强效应.在100V极化电压下,多层膜的平均剩余极化强度达42.3μC/cm2,矫顽场为43kV/cm.大的极化强度值归因于大的膜厚和多孔结构有效释放膜内张应力的结果.室温低频限下,PZT多层膜的表观相对介电常数超过2000.极为有趣的是,在所研究的频率范围,PZT多层膜具有两种截然不同的介电驰豫.低频介电损耗峰源自空间电荷极化;而遵从Arrhen ius律的高频介电响应可能同与氧空位VO¨相关的极性缺陷复合体有关.

关键词： PZT多层膜铁电介电极性缺陷复合体

新型GexSi1-x/Si异质结远红外探测器

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Journal of Semiconductors 1993年第4期14卷 260-263页

作者：龚大卫,杨小平,卫星,郑国祥,胡际璜,张翔九,盛篪,王迅,董健民,吴作良,梁平治复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海技术物理研究所中国科学院上海技术物理研究所中国科学院上海技术物理研究所上海 200433 上海 200433 上海 200433 上海 200433 复旦大学材料科学系上海 200433 上海 200433 上海 200433 上海 200433 上海 200083 上海 200083 上海 200083

用分子束外延技术结合硅平面工艺研制成了GexSi1-x/Si异质结远红外探测器。测试结果表明,界面势垒高度低于0.09eV,预计对应的工作波长可从2μm到12μm以上。50K时的探测率(黑体873k*)优于2×10～8cm·Hz1/2/W,30K为6×10～8cmHz1/2/W,对... 详细信息

用分子束外延技术结合硅平面工艺研制成了GexSi1-x/Si异质结远红外探测器。测试结果表明,界面势垒高度低于0.09eV,预计对应的工作波长可从2μm到12μm以上。50K时的探测率(黑体873k*)优于2×10～8cm·Hz1/2/W,30K为6×10～8cmHz1/2/W,对500K黑体,30K工作温度下D500k*为1.6×10～8cm·Hz1/2/W。由于探测器为宽带型,虽然峰值D*并不很高,但在30℃的环境辐射背景下,对人体温度的辐射也有较强烈的响应。

关键词：远红外探测器异质结半导体结肖特基势垒探测器 Ge_xSi Si

离子溅射在GaP极性表面引起的损伤及其消除

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Journal of Semiconductors 1994年第11期15卷 790-794页

作者：卢学坤侯晓远丁训民王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室

离子束处理在器件工艺和材料表征技术中有着广泛的应用．本文采用低能电子衍射、Ｘ光电子能谱和角分辨紫外光电子能谱对ＧａＰ极性表面经Ａｒ离子溅射后的损伤情况进行了研究．主要探讨表面损伤及其消除、表面能带弯曲等问题．

关键词：磷化镓离子溅射极性半导体表面损伤消除

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锗硅双层量子点的光电流特性

固体电子学研究与进展 2002年第4期22卷 441-444页

作者：周浩蒋最敏陆昉复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

在分子束外延 (MBE)系统上用自组织方式生长了硅基双层锗量子点结构 ,并对样品进行光电流谱的测试。通过调节不同外加偏压来改变量子点中的费米能级位置 ,量子点中载流子所处束缚能级将随之发生变化 ,所得到的光电流谱的峰位也将因此而... 详细信息

在分子束外延 (MBE)系统上用自组织方式生长了硅基双层锗量子点结构 ,并对样品进行光电流谱的测试。通过调节不同外加偏压来改变量子点中的费米能级位置 ,量子点中载流子所处束缚能级将随之发生变化 ,所得到的光电流谱的峰位也将因此而改变。由光电流谱得到的实验结果与常规的光致发光谱的结果相吻合。与单层锗量子点结构相比 ,双层结构的样品在光电特性上有着明显不同 :光电流谱中 ,在 0 .767e V及 0 .869e V处出现了两个峰 ,分别对应于载流子在不同的量子点层中的吸收。

关键词：双层量子点光电流光致发光谱分子束外延

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C_（60）分子间的相互作用

复旦学报（自然科学版） 1996年第1期35卷 1-5页

作者：叶令复旦大学应用表面物理国家重点实验室

采用定域密度泛函分子集团方法研究了两个Ｃ６０分子之间的相互作用性质，在平衡位置附近，两分子间的相互作用势可以用一个简单的解析形式──Ｌｅｎｎａｒｄ－Ｊｏｎｅｓ势来描述．Ｌｅｎｎａｒｄ－Ｊｏｎｅｓ势中的参数为ε＝３．６... 详细信息

采用定域密度泛函分子集团方法研究了两个Ｃ６０分子之间的相互作用性质，在平衡位置附近，两分子间的相互作用势可以用一个简单的解析形式──Ｌｅｎｎａｒｄ－Ｊｏｎｅｓ势来描述．Ｌｅｎｎａｒｄ－Ｊｏｎｅｓ势中的参数为ε＝３．６２０ｅＶ，σ＝８．６１５Ａ．还计算了电子结构随分子中心之间的距离ｒ的变化关系．ｒ＝９．６７时达到平衡．ｒ减小时，最高占有态和最低非占有态之间的能隙减小；ｒ减到约为平衡距离的８８％时，能隙为０．

关键词：定域密度泛函碳60 分子相互作用