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考虑开关时序配合的有源配电网有序供电恢复方法

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电力系统及其自动化学报 2025年

作者：郑哲崔文朋亓学庆熊艳伟北京智芯微电子科技有限公司

针对故障场景下的有源配电网供电恢复问题，提出考虑开关动作时序配合的有序供电恢复方法。首先，构建计及开关动作顺序的多阶段供电恢复模型，完整刻画供电恢复开关动作过程和区域恢复路径，并将其转化为易于求解的混合整数二阶锥形式... 详细信息

针对故障场景下的有源配电网供电恢复问题，提出考虑开关动作时序配合的有序供电恢复方法。首先，构建计及开关动作顺序的多阶段供电恢复模型，完整刻画供电恢复开关动作过程和区域恢复路径，并将其转化为易于求解的混合整数二阶锥形式；然后，提出有源配电网供电恢复模型多步式求解方法，通过目标网络求解、开关路径计算、恢复路径计算三个步骤，将考虑开关动作顺序的供电恢复问题的分解为多个子问题进行快速求解，实现对大规模的有源配电网供电恢复问题的高效求解；最后，结合IEEE 33节点算例和某地区实际配电网算例验证方法的有效性。算例结果表明，所提出的方法能够在配电网复杂约束下通过开关动态配合快速完成供电恢复。

关键词：有源配电网供电恢复动作时序二阶锥规划孤岛供电

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一种低噪声和快速响应的低压差线性稳压器

半导体技术 2025年第03期 282-288页

作者：李飞宇陈君涛周爵朱安康三微电子科技(苏州)有限公司

设计了一款基于超低通滤波器技术的低输出噪声的低压差线性稳压器（LDO）。根据典型LDO输出噪声的主要贡献点，采用含受控运放的超低通滤波器来降低基准信号的噪声，并解决低通滤波器截止频率与响应速度的矛盾。基于0.25μm CMOS工艺完... 详细信息

设计了一款基于超低通滤波器技术的低输出噪声的低压差线性稳压器（LDO）。根据典型LDO输出噪声的主要贡献点，采用含受控运放的超低通滤波器来降低基准信号的噪声，并解决低通滤波器截止频率与响应速度的矛盾。基于0.25μm CMOS工艺完成了LDO的设计和流片，其核心芯片的面积为700μm×750μm。测试结果表明，在输入电压为5 V、输出电压为3.3 V、负载电流为200 mA时，LDO的启动时间约为150μs，在1 kHz处的噪声为-138.15 dBV/■,10 Hz～100 kHz内均方根（RMS）积分噪声约为17.0μV。

关键词：低噪声低压差线性稳压器(LDO) 超低通滤波器负载电流启动时间

应对多个园区管理项目，以维度视角搭建管理框架体系——浅析园区管理的危与机

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上海商业 2025年第01期 213-215页

作者：刘亦为上海华力集成电路制造有限公司

随着园区经济的快速发展，产业园区作为承载新质生产力的重要平台，对物业管理提出了更高的要求。本文通过分析当前园区管理中存在的问题，从甲方（组织管理方）和乙方（物业服务管理方）两个角度探讨物业管理的危与机，并提出通过构建... 详细信息

随着园区经济的快速发展，产业园区作为承载新质生产力的重要平台，对物业管理提出了更高的要求。本文通过分析当前园区管理中存在的问题，从甲方（组织管理方）和乙方（物业服务管理方）两个角度探讨物业管理的危与机，并提出通过构建多维度管理框架体系来应对挑战，展望园区物业管理的未来发展。

关键词：产业园区经济园区物业管理、多维度管理框架

来源：博看期刊

频率自适应的构网型变流器宽频带谐波电压抑制策略

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电工技术学报 2025年第1期40卷 164-177页

作者：赵统吴超王勇蒋顺平黄秋燕上海交通大学电气工程系上海200240 思源清能电气电子有限公司上海201108

传统构网型变流器在复杂电网阻抗、非线性负载的应用场景下的输出电压会存在较大谐波而不满足电能质量要求。然而,传统构网变流器的控制目标在于维持基波电压幅值和频率的稳定,公共耦合点谐波电压的问题被忽略。为了提升构网变流器对谐... 详细信息

传统构网型变流器在复杂电网阻抗、非线性负载的应用场景下的输出电压会存在较大谐波而不满足电能质量要求。然而,传统构网变流器的控制目标在于维持基波电压幅值和频率的稳定,公共耦合点谐波电压的问题被忽略。为了提升构网变流器对谐波电压的抑制能力,该文提出了一种宽频带的谐波电压消除策略。该策略在主要的谐波电压频率范围内均保持足够的增益,且与基波控制解耦。此外,所提策略不依赖于自适应谐振控制器、重复控制器中的谐波电压频率提取环节而对频率变化的谐波电压进行抑制,简化了控制器结构,使其便于工程实施。该文推导的构网变流器的小信号分析和阻抗模型也证明了所提策略在和基波控制解耦的同时有效地提升了谐波电压抑制能力。最后,通过实验验证了理论分析的准确性和有效性。

关键词：构网型变流器阻抗模型谐波电压消除宽频带控制器

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第三代半导体切割技术概述

中国集成电路 2025年第1期34卷 40-46页

作者：谢天欢蔡晓峰程晋红张洪波陈健宏茂微电子(上海)有限公司

鉴于电力电子器件趋向于在高温、高压、高辐射等恶劣环境下工作,传统的半导体材料硅无法适应该发展趋势,故第三代半导体凭借更宽的带隙宽度、更高的击穿电场、更高的导热系数等能力在该领域的应用上凸显了优势。为此,第三代半导体晶圆... 详细信息

鉴于电力电子器件趋向于在高温、高压、高辐射等恶劣环境下工作,传统的半导体材料硅无法适应该发展趋势,故第三代半导体凭借更宽的带隙宽度、更高的击穿电场、更高的导热系数等能力在该领域的应用上凸显了优势。为此,第三代半导体晶圆切割作为半导体制造的一个重要环节,晶圆加工精度要求也愈发严格。本文详细介绍了传统刀轮切割、激光烧蚀切割、水辅助激光切割、激光热裂切割和激光隐形切割工艺的基本原理,为进一步研究和应用提供参考。

关键词：晶圆切割技术第三代半导体传统刀轮切割激光切割

基于Box-Behnken响应面法优化SC1清洗热氧化膜工艺

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华东理工大学学报(自然科学版) 2025年

作者：王玉超吴彬斌贾丽丽管冯林李虎李芳张瑜李涛华东理工大学化工学院上海华力集成电路制造有限公司

为控制由SC1清洗所造成的热氧化膜损失和面内不均匀性的增加，采用Box-Behnken Design方法设计实验，对SC1清洗过程中的药液温度、药液配比和清洗时间3个关键参数进行响应面优化，并讨论了各个因素以及各因素之间的交互作用对清洗效果... 详细信息

为控制由SC1清洗所造成的热氧化膜损失和面内不均匀性的增加，采用Box-Behnken Design方法设计实验，对SC1清洗过程中的药液温度、药液配比和清洗时间3个关键参数进行响应面优化，并讨论了各个因素以及各因素之间的交互作用对清洗效果的影响。根据实际生产中对清洗工艺的不同要求，通过响应面模型给出了4组最优化的工艺条件，并通过实验验证了预测结果的有效性。

关键词：响应面优化单片湿法工艺 SC1 热氧化膜损失表面均匀性

箱型结构加强筋分布及支撑位置的协同优化设计

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中国机械工程 2025年第1期36卷 69-77页

作者：李简丁晓红张轶杰熊敏王瀚张横上海理工大学机械工程学院上海200093 上海微电子装备(集团)股份有限公司上海200131

箱型结构内部加强筋布局及支撑位置对结构性能有重要影响。提出一种箱型结构加强筋分布及支撑位置协同优化设计方法,引入独立的支撑单元和加强筋基结构,建立箱型结构加强筋和支撑位置协同优化数学模型。通过自适应成长法对箱型结构进行... 详细信息

箱型结构内部加强筋布局及支撑位置对结构性能有重要影响。提出一种箱型结构加强筋分布及支撑位置协同优化设计方法,引入独立的支撑单元和加强筋基结构,建立箱型结构加强筋和支撑位置协同优化数学模型。通过自适应成长法对箱型结构进行加强筋优化设计,基于双向渐近结构优化方法对支撑位置进行优化,得到最优的加强筋分布和支撑位置。结果表明,相比于已知支撑位置的加强筋优化设计,协同优化得到的支撑位置和加强筋分布具有更优的力学性能。

关键词：箱型结构支撑位置加强筋分布协同优化

多项目晶圆（MPW wafer）在引线键合塑封中的常见问题分析

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中国集成电路 2025年第03期 81-85页

作者：程传芹蔡晓峰程晋红张洪波何良孝宏茂微电子(上海)有限公司

随着半导体工艺的更新迭代，晶圆的生产加工成本越来越高，很多研发机构和起步阶段的科技公司会选择多项目晶圆方式来缓解成本压力。但因多项目晶圆是多颗芯片共用一片晶圆，芯片分布不像普通量产晶圆那么规则，且单颗芯片的研磨厚度、... 详细信息

随着半导体工艺的更新迭代，晶圆的生产加工成本越来越高，很多研发机构和起步阶段的科技公司会选择多项目晶圆方式来缓解成本压力。但因多项目晶圆是多颗芯片共用一片晶圆，芯片分布不像普通量产晶圆那么规则，且单颗芯片的研磨厚度、上片（DA）材料等不能单独管控，在封装作业过程中会有很多的潜在风险，如误吸、线弧净空不足、未灌满等问题。因此，在芯片的研发阶段和封装导入阶段，需要充分考量并评估设计及封装的可行性，提前规避问题的发生，以降低各方面损失。

关键词：多项目晶圆封装常见问题

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一种基于AHB总线DMA控制器验证方法

电子技术应用 2025年第1期51卷 34-39页

作者：罗一牛马丙场上海灵动微电子股份有限公司上海201210

针对传统芯片验证平台验证用例复用性差、验证时间长的问题,提出了一种基于AHB总线DMA控制器验证方法。通过该方法修改优化的验证平台可移植性高,具有模拟联动IP产生请求、回复与中断信号的功能,支持在传输中对AHB总线随机注入错误的能... 详细信息

针对传统芯片验证平台验证用例复用性差、验证时间长的问题,提出了一种基于AHB总线DMA控制器验证方法。通过该方法修改优化的验证平台可移植性高,具有模拟联动IP产生请求、回复与中断信号的功能,支持在传输中对AHB总线随机注入错误的能力。为证明方法的有效性,对DMA控制器UVM验证平台架构进行修改优化,并复用该平台构建Image2D控制器UVM验证平台,分别收集两个验证平台代码覆盖率。实验结果表明,该方法能够提高验证平台调试排错速度,提升验证平台兼容性,节约15%以上的验证开发时间,并保证验证平台代码覆盖率为100%。

关键词：数字集成电路 UVM AHB DMA Image2D 代码覆盖率