检索结果-南通市图书馆

中国电子商情 2012年第1期 62-63页

作者：林康乐飞兆半导体公司

对飞兆半导体来说,帮助客户实现成功是头等大事。作为全球性半导体解决方案供应商,我们的目标是与客户合作,解决客户所面临的至关重要的业务难题,包括设计的困难挑战、缩短产品上市时间,以及实现产品差异化。

关键词：飞兆半导体公司客户合作执行副总裁市场推广成功产品差异化专访销售

在奔跑中前进,绽放“芯”力量——访合肥中恒微半导体有限公司创始人、董事长袁磊

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变频器世界 2024年第6期27卷 9-12页

作者：袁磊合肥中恒微半导体有限公司

忙。这是合肥中恒微半导体有限公司(以下简称中恒微)创始人、董事长袁磊的工作常态。早上八点,袁磊已经开启了一天的工作模式,他忙着抓技术,忙着抓管理,忙着出差,忙着参加会议,更多的是忙着思考以及对公司发展的不断复盘。而在袁磊的带... 详细信息

忙。这是合肥中恒微半导体有限公司(以下简称中恒微)创始人、董事长袁磊的工作常态。早上八点,袁磊已经开启了一天的工作模式,他忙着抓技术,忙着抓管理,忙着出差,忙着参加会议,更多的是忙着思考以及对公司发展的不断复盘。而在袁磊的带领下,这家自2018年成立以来就一直专注于IGBT的芯片技术以及模块封装测试技术上的持续研究及创新的公司,已经走在大多数人的前面,但它仍然在规划自己的每一步,并朝着最后的目标进发。

关键词：袁磊模块封装芯片技术半导体董事长创始人合肥

苏州新施诺:顺时聚势,成为全球领先的AMHS解决方案提供商——访苏州新施诺半导体设备有限公司总经理王宏玉

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物流技术与应用 2024年第5期29卷 94-97页

作者：江宏王宏玉不详苏州新施诺半导体设备有限公司

苏州新施诺公司以“成为全球AMHS技术第一”为愿景,依托韩国Synus Tech公司与新松机器人公司在洁净物流系统领域的核心技术,通过国内外协同研发及供应链整合,不断升级AMHS系统解决方案,为客户提供稳定可靠高效的洁净物流系统设备与控制... 详细信息

苏州新施诺公司以“成为全球AMHS技术第一”为愿景,依托韩国Synus Tech公司与新松机器人公司在洁净物流系统领域的核心技术,通过国内外协同研发及供应链整合,不断升级AMHS系统解决方案,为客户提供稳定可靠高效的洁净物流系统设备与控制软件,以及优质快捷的服务,助力中国半导体行业发展。

关键词：供应链整合物流系统半导体设备半导体行业控制软件访苏州提供商协同研发

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8英寸SiC晶圆制备与外延应用

人工晶体学报 2024年第10期53卷 1712-1719页

作者：韩景瑞李锡光李咏梅王垚浩张清纯李达施建新闫鸿磊韩跃斌丁雄杰广东天域半导体股份有限公司广州南砂晶圆半导体技术有限公司清纯半导体(宁波)有限公司芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司

碳化硅（SiC）是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料之一，近20年来随着SiC材料加工技术的不断提升，其应用领域不断扩大。目前SiC芯片的制备仍然以6英寸（1英寸=25.4 mm）晶圆为主，但是行业龙头企业已经开始研发基于8英寸... 详细信息

碳化硅（SiC）是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料之一，近20年来随着SiC材料加工技术的不断提升，其应用领域不断扩大。目前SiC芯片的制备仍然以6英寸（1英寸=25.4 mm）晶圆为主，但是行业龙头企业已经开始研发基于8英寸SiC晶圆的下一代器件和芯片。本研究联合国内SiC产业链上、下游龙头企业，推进8英寸SiC芯片国产研发，尤其是关键的晶圆制备和外延应用环节。本文采用扩径生长法制备了8英寸导电型4H-SiC衬底晶圆，其平均基平面位错（BPD）密度低至251 cm-2,平均螺位错（TSD）密度小于1 cm-2,实现了近“零TSD”和低BPD密度的8英寸导电型4H-SiC衬底晶圆的制备，可以满足生产需要。采用国产8英寸外延设备和开发工艺包，实现了速率为68.66μm/h的快速外延生长，厚度不均匀性为0.89%,掺杂不均匀性为2.05%,这两个指标已经达到了优良6英寸外延膜的水平，完全可以满足生产需要。与国外已发布的8英寸外延结果对比，厚度和掺杂均匀性均优于国外数据，而缺陷密度只有国外数据的1/4。本文设计和实施了多片重复性试验，验证了8英寸外延的稳定性。

关键词：碳化硅 8英寸晶圆外延缺陷密度掺杂均匀性

界面工程调控石墨烯/氮化镓紫外光电探测性能研究（特邀）

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激光与光电子学进展 2024年第3期 21-26页

作者：高芳亮陈坤刘青王幸福杨纪锐徐明俊贺宇浩石宇豪许腾文阳志超李述体华南师范大学半导体科学与技术学院东莞南方半导体科技有限公司

界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN(3D)范德瓦耳斯异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对，并在内建电场作用下发生分离。其中，光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移，... 详细信息

界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN(3D)范德瓦耳斯异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对，并在内建电场作用下发生分离。其中，光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移，而光生电子向GaN一侧迁移。在较高的电场驱动下，载流子将发生碰撞，造成光电流倍增，使得器件的光吸收效率与光电转化效率有明显提升。因此，器件在-2 V偏压条件和5μW/cm2紫外光照射下，展示出较高的响应度(395.2 A/W)和较大的探测率(4.425×1015Jones)值。该研究丰富了界面工程技术在Gr基紫外光电探测器的应用，为制备高性能紫外探测器提供了可能。

关键词：氮化镓二维/三维金属有机化学气相沉积紫外探测器

12英寸超级结-沟槽栅MOSFET器件和工艺研究

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微电子学 2024年

作者：刘冬华许昭昭钱文生上海华虹宏力半导体制造有限公司华虹半导体(无锡)有限公司

超级结MOSFET是高压分立器件中的重要分支。但是超级结在中-低压段，特别是在低压段器件中应用较少且相关研究也不多。因此，研究中-低压段的超级结制作工艺，有利于采用超级结改善低压器件的综合特性。仿真显示，传统沟槽栅极器件的Rs... 详细信息

超级结MOSFET是高压分立器件中的重要分支。但是超级结在中-低压段，特别是在低压段器件中应用较少且相关研究也不多。因此，研究中-低压段的超级结制作工艺，有利于采用超级结改善低压器件的综合特性。仿真显示，传统沟槽栅极器件的Rsp优化余地有限，但是采用超级结，器件的Rsp可降低超50%。实验结果显示，超级结-沟槽栅器件的BV达85 V，与仿真一致。阈值电压偏高且Rsp改善20%。这表明超级结-沟槽栅在中-低压段分立器件中有非常大的实用价值，相比沟槽栅器件，Rsp改善预估在35%～40%之间。

关键词：沟槽MOSFET 超级结元胞特征导通电阻高能注入

n/n型硅衬底扩散片X理论分析与测试方法优化

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半导体技术 2024年

作者：张现磊李立谦周涛张志林洛阳鸿泰半导体有限公司

n型衬底扩散片扩散深度(Xjn+)是n+/n-型硅衬底扩散片最重要的参数之一，Xjn+的理论计算对磷扩散生产和Xjn+测试具有重要的指导意义。但现有扩散理论计算结果与实验数据差异较大，需更精准的计算方法。通过实验对Xjn+的测试与理论计算结... 详细信息

n型衬底扩散片扩散深度(Xjn+)是n+/n-型硅衬底扩散片最重要的参数之一，Xjn+的理论计算对磷扩散生产和Xjn+测试具有重要的指导意义。但现有扩散理论计算结果与实验数据差异较大，需更精准的计算方法。通过实验对Xjn+的测试与理论计算结果进行对比分析，引入了修正系数kn与kp，得到理论计算与测试结果吻合的Xjn+计算方法。并根据修正后的计算方法对染色法测试Xjn+进行了优化。新的Xjn+计算方法得到的结果与测试结果差异小于2%，可用于指导生产，且优化后的Xjn+测试方法更加便捷。

关键词：衬底扩散片扩散系数修正协同扩散 n型衬底扩散片扩散深度(X )计算 X 测试方法优化

界面工程调控石墨烯/氮化镓紫外光电探测性能研究(特邀)

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激光与光电子学进展 2024年第3期61卷 1-6页

作者：高芳亮陈坤刘青王幸福杨纪锐徐明俊贺宇浩石宇豪许腾文阳志超李述体华南师范大学半导体科学与技术学院广东广州510631 东莞南方半导体科技有限公司广东东莞523781

界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN(3D)范德瓦耳斯异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对,并在内建电场作用下发生分离。其中,光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移,而... 详细信息

界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN(3D)范德瓦耳斯异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对,并在内建电场作用下发生分离。其中,光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移,而光生电子向GaN一侧迁移。在较高的电场驱动下,载流子将发生碰撞,造成光电流倍增,使得器件的光吸收效率与光电转化效率有明显提升。因此,器件在-2 V偏压条件和5μW/cm^(2)紫外光照射下,展示出较高的响应度(395.2 A/W)和较大的探测率(4.425×10^(15)Jones)值。该研究丰富了界面工程技术在Gr基紫外光电探测器的应用,为制备高性能紫外探测器提供了可能。

关键词：氮化镓二维/三维金属有机化学气相沉积紫外探测器

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碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述

人工晶体学报 2024年第2期53卷 210-217页

作者：郭钰刘春俊张新河沈鹏远张博娄艳芳彭同华杨建北京天科合达半导体股份有限公司北京102600 深圳市重投天科半导体有限公司深圳518108

碳化硅(SiC)外延质量会直接影响器件的性能和使用寿命,在SiC器件应用中起到关键作用。SiC外延质量一方面受衬底质量的影响,例如衬底的堆垛层错(SF)会贯穿到外延层中形成条状层错(BSF),螺位错(TSD)会贯穿到外延层中形成坑点或Frank型层错... 详细信息

碳化硅(SiC)外延质量会直接影响器件的性能和使用寿命,在SiC器件应用中起到关键作用。SiC外延质量一方面受衬底质量的影响,例如衬底的堆垛层错(SF)会贯穿到外延层中形成条状层错(BSF),螺位错(TSD)会贯穿到外延层中形成坑点或Frank型层错(Frank SF)等。另一方面受到外延工艺的影响,如在外延过程中衬底的基平面位错(BPD)受应力等条件作用会滑移形成Σ形基平面位错(Σ-BPD),衬底的TSD或刃位错(TED)会衍生为腐蚀坑(Pits),以及新产生SF和硅滴等。因此,获得高质量的SiC外延晶片需要从优选SiC衬底和优化外延工艺两方面入手。本文对外延生长过程中晶体缺陷如何转化并影响器件性能进行了系统分析和综述,并基于北京天科合达半导体股份有限公司量产的高质量6英寸SiC衬底,探讨了常见缺陷,如BPD、层错、硅滴和Pits等的形成机理及其控制技术,并对Σ-BPD的产生机理和消除方法进行研究,最终获得了片内厚度和浓度均匀性良好、缺陷密度低的外延产品,完成了650和1 200 V外延片产品的开发和产业化工作。

关键词：碳化硅同质外延外延生长缺陷位错小坑

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1700 V精细沟槽栅IGBT器件设计

半导体技术 2024年第4期49卷 310-315,329页

作者：郑婷婷南京南瑞半导体有限公司南京211100

为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件关断损耗和导通压降之间的折中关系,同时降低器件制造成本,基于1 700 V电压平台设计了一种采用精细沟槽栅结构的IGBT。采用TCAD软件进行仿真,研究衬底电阻率、衬底厚度、沟槽栅深度、沟槽栅宽度、... 详细信息

为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件关断损耗和导通压降之间的折中关系,同时降低器件制造成本,基于1 700 V电压平台设计了一种采用精细沟槽栅结构的IGBT。采用TCAD软件进行仿真,研究衬底电阻率、衬底厚度、沟槽栅深度、沟槽栅宽度、载流子存储层注入剂量、沟槽栅元胞结构等因素对精细沟槽栅IGBT器件性能参数的影响,确定了最优工艺参数,并对1 700 V精细沟槽栅IGBT芯片进行流片和封装。测试结果显示,相比普通沟槽栅IGBT模块,1 700 V精细沟槽栅IGBT模块在芯片面积减小34.2%的情况下,关断损耗降低了8.6%,导通压降仅升高5.5%,器件性价比得到了优化。

关键词：精细沟槽栅结构绝缘栅双极型晶体管(IGBT) TCAD仿真元胞结构器件性价比