检索结果-南通市图书馆

铜基板面积、焊锡和导电铜箔厚度对高功率密度LED极限光电性能的影响

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发光学报 2024年第7期45卷 1196-1210页

作者：黄林凤熊传兵汤英文袁慧马依豪杨欣雨闽南师范大学物理与信息工程学院福建漳州363000

高功率密度LED器件能实现传统光源和普通LED器件无法实现的诸多功能,将半导体照明技术链推向了一个崭新的高度。在实际应用中,单颗LED器件需要在数百瓦及近100 A电流下工作,铜基板面积、焊锡和导电铜箔厚度均会对该类型LED器件的极限光... 详细信息

高功率密度LED器件能实现传统光源和普通LED器件无法实现的诸多功能,将半导体照明技术链推向了一个崭新的高度。在实际应用中,单颗LED器件需要在数百瓦及近100 A电流下工作,铜基板面积、焊锡和导电铜箔厚度均会对该类型LED器件的极限光电性能这一关键指标产生显著影响。本文将单颗极限电功率为300 W和200 W的两种规格的LED蓝光和白光器件,分5μm、100μm和200μm三个焊锡厚度,分别贴片焊接在直径为20 mm、25 mm和32 mm三种不同面积的热电分离铜凸台基板上,测试了当散热器温度分别为25℃、50℃、75℃和100℃时蓝光LED器件光功率、白光LED光通量及其灯板导线焊点间的电压随电流的变化。同时,还研究了铜基板的导电铜箔厚度分别为70μm和140μm时,极限电功率为150 W的蓝光LED器件的I-L特性和I-V特性,并对其极限发光进行了研究。研究结果表明,焊锡厚度、铜基板面积和导电铜箔厚度均会对LED的极限发光强度和工作电压产生明显影响;减小焊锡厚度和增加铜基板面积能显著提高高功率LED器件的极限光强,P110和T90两种规格蓝光LED器件极限光功率的提升幅度高达16%和19%,白光器件极限光通量的提升幅度均高达15%左右;当铜箔厚度由70μm增加到140μm、散热器温度为25℃时,P70蓝光LED的极限光功率提升幅度为9.2%,50℃和75℃时极限光功率提升幅度为12.9%,100℃时极限光功率提升幅度为16.4%。

关键词：高功率密度LED 热电分离铜凸台基板焊锡导电铜箔

基于灰尘重金属生态修复的城市公园植物景观研究——以漳州市为例

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中央民族大学学报（自然科学版） 2024年第2期33卷 5-15页

作者：燕一波漳州城市职业学院园林园艺系福建漳州363000

城市公园是为城市居民提供休息、游览、锻炼和交往的公共活动空间,也是城市生态景观主要构成之一。城市更新下公园绿地发展迅速,然而其景观设计与生态修复研究尚处初级阶段。基于此,本文结合公园绿地植物景观现状问题,指出基于灰尘重金... 详细信息

城市公园是为城市居民提供休息、游览、锻炼和交往的公共活动空间,也是城市生态景观主要构成之一。城市更新下公园绿地发展迅速,然而其景观设计与生态修复研究尚处初级阶段。基于此,本文结合公园绿地植物景观现状问题,指出基于灰尘重金属生态修复的城市公园绿地植物类型和适用种类。从城市公园的功能需求、灰尘重金属污染积累特征分区、分级进行植物群落层次、植物组团配置及植物景观设计的探索,提出基于灰尘重金属生态修复下的植物生态修复策略。

关键词：灰尘重金属生态修复城市公园植物景观植物组团

无电荷层InGaAs/Si雪崩光电探测器的优化设计

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光学学报 2024年第5期44卷 19-28页

作者：张娟姚儿柯少颖闽南师范大学物理与信息工程学院光场调控及其系统集成应用福建省高校重点实验室福建漳州363000

目前,在近红外波段中普遍采用InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD),但这类APD存在增益带宽积小和等效噪声高等问题,而InGaAs/Si APD采用电子、空穴离化系数极低的Si材料作为倍增层,在一定程度解决了上述问题,但其制造过程涉及Si电荷层的离子... 详细信息

目前,在近红外波段中普遍采用InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD),但这类APD存在增益带宽积小和等效噪声高等问题,而InGaAs/Si APD采用电子、空穴离化系数极低的Si材料作为倍增层,在一定程度解决了上述问题,但其制造过程涉及Si电荷层的离子注入和高温退火激活,该过程工艺复杂、杂质分布不均匀、成本高。因此,本研究采用刻蚀技术在Si倍增层内制备凹槽环,并在凹槽环内填充不同介质对InGaAs层及Si层内的电场进行调控,构建无电荷层InGaAs/Si APD器件模型。结果表明,在凹槽环内填充空气或SiO2可获得高性能的InGaAs/Si APD。该研究结果可为后续研制工艺简单、性能稳定、低噪声的InGaAs/Si APD提供理论指导。

关键词：探测器雪崩光电二极管增益带宽积电荷层凹槽环

基于poly-Si键合层的SACM型Ge/Si APD的优化设计研究

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中国激光 2024年第8期51卷 46-59页

作者：张娟苏小萍李嘉辉王战仁柯少颖闽南师范大学物理与信息工程学院光场调控及其系统集成应用福建省高校重点实验室福建漳州363000

Ge/Si雪崩光电二极管(APD)被广泛应用于近红外探测领域,但由于Ge和Si之间存在4.2%的晶格失配,故难以获得高性能的Ge/Si APD。提出在Ge/Si键合界面处引入多晶硅(poly-Si)键合中间层,弱化Ge/Si失配晶格对APD器件性能的影响。poly-Si引入... 详细信息

Ge/Si雪崩光电二极管(APD)被广泛应用于近红外探测领域,但由于Ge和Si之间存在4.2%的晶格失配,故难以获得高性能的Ge/Si APD。提出在Ge/Si键合界面处引入多晶硅(poly-Si)键合中间层,弱化Ge/Si失配晶格对APD器件性能的影响。poly-Si引入后键合界面电场发生变化,导致APD内部的电场重新分布,极大地影响了器件性能。因此,重点对Ge吸收层和Si倍增层的掺杂浓度进行调控,探究了掺杂浓度对Ge/Si APD电场、复合率、载流子浓度、碰撞电离等性能的影响,最终设计出高性能键合Ge/Si APD。本工作将为低噪声、高增益Ge/Si APD的研究提供理论指导。

关键词：材料 Ge/Si雪崩光电二极管晶格失配 poly-Si键合层掺杂浓度

带电粒子在均匀磁场与三维各向同性谐振子场中运动的双波描述

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物理学报 2000年第7期49卷 1211-1214页

作者：吴奇学漳州师范学院物理系漳州363000

研究带电粒子在均匀磁场与三维各向同性谐振子场中运动的双波描述 ,得到了量子结果及其经典极限 ,并与纯经典情形比较 .

关键词：双波描述均匀磁场谐振子场带电粒子运动

互相垂直的均匀磁场和电场中一维带电谐振子的双波描述

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物理学报 2000年第2期49卷 190-193页

作者：吴奇学漳州师范学院物理系漳州363000

研究互相垂直的均匀磁场和电场中一维带电谐振子的量子单波及量子双波的描述

关键词：均匀磁场电场一维带电谐振子双波量子力学

基于医患沟通技能培养的中医问诊实践教学设计

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中国中医药现代远程教育 2024年第1期22卷 7-10页

作者：蔡秋梅郑梅华薛丽芬漳州卫生职业学院健康与保健系福建漳州363000

中医问诊是中医诊察疾病的重要方法,也是医患沟通的重要环节。将“大医精诚”思政元素融入中医诊断学问诊实践教学设计,使课程思政与专业教学相渗透,以医学人文精神引导学生更好地理解教学内容。同时,通过角色扮演教学方式改革和多元化... 详细信息

中医问诊是中医诊察疾病的重要方法,也是医患沟通的重要环节。将“大医精诚”思政元素融入中医诊断学问诊实践教学设计,使课程思政与专业教学相渗透,以医学人文精神引导学生更好地理解教学内容。同时,通过角色扮演教学方式改革和多元化考核方式引导,使学生有效掌握问诊技巧和方法。从而提升中医学生的医患沟通技能,为其执业生涯奠定坚实基础。

关键词：中医问诊教学课程思政医患沟通技能

有旋电子在电磁场及二维谐振子场中运动的双波描述

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物理学报 2000年第11期49卷 2118-2122页

作者：吴奇学漳州师范学院物理系漳州363000

研究有旋非相对论性电子在相互垂直的均匀电磁场及二维谐振子场中运动的量子单波及量子双波描述

关键词：双波描述有旋电子电磁砀谐振子场量子力学

双高建设背景下中医类专业产教融合培育模式的探索

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中国中医药现代远程教育 2024年第8期22卷 203-206页

作者：林强漳州卫生职业学院健康与保健系福建漳州363000

百年大计,教育为本。中医类专业实践性和综合性都极强,产教融合培育模式是培育中医类人才、发展中医类专业的重要模式。基于此,以“双高”建设背景下中医类专业产教融合培育模式为切入点,从其现存问题、模式内涵和探索途径三方面探究双... 详细信息

百年大计,教育为本。中医类专业实践性和综合性都极强,产教融合培育模式是培育中医类人才、发展中医类专业的重要模式。基于此,以“双高”建设背景下中医类专业产教融合培育模式为切入点,从其现存问题、模式内涵和探索途径三方面探究双高背景下中医类专业产教融合培育模式,以期为各界针对双高背景下中医类专业产教融合培育模式的探索发展的理论研究和教学实践提供一定参考。

关键词：双高建设背景中医类专业产教融合培育模式