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检索条件"机构=中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心"
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具有低噪声及高线性度的高性能MOCVD-SiN_(x)/AlN/GaN毫米波MIS-HEMTs
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红外与毫米波学报 2024年 第2期43卷 200-206页
作者: 袁静 景冠军 王建超 汪柳 高润华 张一川 姚毅旭 魏珂 李艳奎 陈晓娟 中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心 北京100029 中国科学院大学 北京100029
文章在超薄势垒AlN/GaN异质结构上采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)原位生长SiN_(x)栅介质,成功制备了高性能的SiN_(x)/AlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。深能级瞬态谱(DLTS)技术测试SiN_(x)/AlN的界面信息,显... 详细信息
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电流增益截止频率为441 GHz的InGaAs/InAlAs InP HEMT
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红外与毫米波学报 2024年 第3期43卷 329-333页
作者: 封瑞泽 曹书睿 冯识谕 周福贵 刘同 苏永波 金智 中国科学院微电子研究所 高频高压器件与集成电路研究中心北京100029 中国科学院大学集成电路学院 北京100049
本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流***为957 mA/mm,最大跨导***为1265 mS/m... 详细信息
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基于相位调制的高相干光源照明匀化方法
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物理学报 2024年 第15期73卷 59-70页
作者: 魏嘉昕 沙鹏飞 方旭晨 卢增雄 李慧 谭芳蕊 吴晓斌 中国科学院微电子研究所 光电技术研发中心北京100029 中国科学院大学 北京100049
蝇眼透镜被用于高相干性激光的整形匀化时,会产生多子光束干涉现象导致照明面光强呈现梳状分布.本文建立了一种蝇眼随机相位调制匀化系统仿真模型,对蝇眼透镜子光束进行随机相位调制,并统计平均多次照明光强.理论和仿真分析证明该方法... 详细信息
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基于匀光管的极紫外消相干和光强均匀化仿真研究
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物理学报 2024年 第11期73卷 133-144页
作者: 李慧 谭芳蕊 尹皓玉 马钺洋 吴晓斌 中国科学院微电子研究所 光电技术研发中心北京100029 中国科学院大学 北京100049
自由电子激光光源(free electron laser,FEL)可发出波长为13.5 nm的极紫外(extreme ultra-violet,EUV)辐射,在EUV光刻领域能够发挥重要作用.但FEL自身的高相干特性以及类高斯光强轮廓分布特征,会对成像带来不利影响,无法满足EUV光刻领... 详细信息
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基于PSD的六自由度位移测量解耦方法研究
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红外与激光工程 2024年 第5期53卷 105-116页
作者: 付文江 卢增雄 吴晓斌 黄宇峰 高斌 陈学同 中国科学院微电子研究所光电技术研发中心 北京100029 中国科学院大学 北京100049
基于位置敏感探测器(Position Sensitive Detector,PSD)的六自由度(6 Degree of Freedom,6DOF)位移测量对紧凑空间内精密位移台初始位置和姿态的精密测量具有重要作用。精密位移台位移与PSD上光斑位移之间非线性关系的解耦是实现精密位... 详细信息
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基于归一化的高精度EUV反射率测试技术研究
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中国激光 2024年 第7期51卷 196-202页
作者: 张良乐 韩晓泉 谢婉露 吴晓斌 方旭晨 高梓翔 沙鹏飞 王魁波 中国科学院微电子研究所光电技术研发中心 北京100029 中国科学院大学 北京100049
基于使用气体放电等离子体(DPP)极紫外(EUV)光源自研的小型反射率测试装置,分析了DPP光源参数及不同型号探测器对反射率测试的影响,提出了一种能量归一化的反射率测试方法,并测试了13.5 nm波长下Mo/Si多层膜反射镜的反射率特性。研究结... 详细信息
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基于GPR模型的用户量预测优化方法
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系统工程与电子技术 2024年 第8期46卷 2721-2729页
作者: 刘学浩 刘文学 杨超三 祝文晶 宋玉 李金海 中国科学院微电子研究所通信与信息工程研发中心 北京100029 中国科学院大学集成电路学院 北京100049
高斯过程回归(Gaussian process regression,GPR)是一种基于高斯过程的非参数化贝叶斯回归方法,其可以灵活适应不同类型数据,用于建模和预测数据之间的复杂关系,具有拟合能力强、泛化能力好等特点。针对海量用户场景下用户量实时预测问... 详细信息
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基于硅材料MOS量子点单自旋量子比特的研究与实现
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稀有金属 2024年 第1期48卷 118-137页
作者: 顾杰 殷华湘 吴振华 张青竹 中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心 北京100029 中国科学院微电子研究所微电子器件集成技术重点实验室 北京100088 中国科学院大学 北京100029 中国有研科技集团有限公司智能传感功能材料国家重点实验室 北京100049
量子计算作为未来计算技术发展的一个重要方向,在一些特定领域具有现代计算机无可比拟的强大优势。基于硅材料的金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)量子点自旋量子比特由于拥有较长的相干时间以及与现代集成电路工艺兼容... 详细信息
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面向空间应用的GaN功率器件及其辐射效应
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国防科技大学学报 2024年 第1期46卷 149-159页
作者: 毕津顺 沈立志 梅博 曹爽 孙毅 于庆奎 中国科学院大学集成电路学院 北京100049 中国科学院微电子研究所 北京100029 中国航天宇航元器件工程中心 北京100029
研究氮化镓(GaN)功率器件及其辐射效应对于解决空间应用需求、促进新一代航天器建设具有重大意义。介绍了GaN功率器件的主要结构及工作原理,综述了近年来国内外在GaN功率器件的总剂量效应和单粒子效应两方面的研究进展,并对辐射效应在Ga... 详细信息
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LDPC码的分层自适应最小和译码算法
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系统工程与电子技术 2024年
作者: 郑仁乐 李东阳 刘文学 万金涛 刘学勇 李金海 中国科学院微电子研究所通信与信息工程研发中心 中国科学院大学集成电路学院
针对归一化最小和译码算法(NMS)较置信传播译码算法(BP)误差较大的问题,提出自适应最小和译码算法(ASF-NMS)。通过对当前迭代后验概率的硬判决值与前一次迭代后验概率的硬判决值进行计算,动态调整归一化因子与偏移因子,使得到的改进... 详细信息
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