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深紫外和x射线光刻技术

光电工程 1997年第S1期24卷 104-112页

作者：冯伯儒姚汉民张锦侯德胜中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室

阐述了深紫外光刻技术和Ｘ射线光刻技术的发展，一些相关单元技术，以及深紫外和Ｘ射线光刻技术的前景。

关键词：远紫外光刻 x射线光刻光刻工艺分辨率

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软x射线光刻研究现状和发展

光电工程 1996年第S1期23卷 127-136页

作者：姚汉民袁大发中国科学院光电技术研究所成都610209

新的一代光刻设备朝着两个方向发展 ,一是趋向于大数值孔径、短波长 ;另一方面国际上正在寻求适应二十一世纪、小于 0 .1 5微米线宽的软 x射线投影光刻技术 ,预计成为下世纪制造千兆位以上超大规模集成电路的主要设备。软 x射线光刻及... 详细信息

新的一代光刻设备朝着两个方向发展 ,一是趋向于大数值孔径、短波长 ;另一方面国际上正在寻求适应二十一世纪、小于 0 .1 5微米线宽的软 x射线投影光刻技术 ,预计成为下世纪制造千兆位以上超大规模集成电路的主要设备。软 x射线光刻及其应用研究是目前国际上非常活跃的高技术领域。把软 x射线光刻列为重要发展项目。本文摘要综述德国、美国、日本、俄罗斯等国近年来在软 x射线光刻关键单元技术及整机研究和发展方面的概况、预计下世纪初美国和日本将有软

关键词： x射线光刻软x射线 x射线光刻机光致抗蚀剂

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同步辐射x射线光刻技术研究

半导体技术 1996年第2期12卷 24-27页

作者：谢常青陈梦真中科院微电子中心北京同步辐射装置光刻站

对可能应用于０．２μｍ及０．２μｍ以下的同步辐射Ｘ射线光刻技术进行了论述，并对其在未来的大规模集成电路生产中的应用前景进行了分析。

关键词：同步辐射光源掩模光刻胶光刻机 x射线光刻

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高效率x射线光刻在单级光栅研制中的应用

微纳电子技术 2015年第4期52卷 246-250页

作者：施百龄董连和朱效立谢常青曹磊峰况龙钰刘慎业长春理工大学光电工程学院长春130022 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029 中国工程物理研究院激光聚变研究中心高温高密度等离子体物理国家重点实验室四川绵阳621900

为了满足单级衍射光栅的应用需求,在器件研制中对x射线光刻的关键技术进行优化,克服了曝光中图形畸变的问题,并利用同步辐射光源对单级衍射光栅进行了高效率的批量复制。通过对x射线光谱成分进行模拟,在x射线束线中插入铬反射镜和氮化... 详细信息

为了满足单级衍射光栅的应用需求,在器件研制中对x射线光刻的关键技术进行优化,克服了曝光中图形畸变的问题,并利用同步辐射光源对单级衍射光栅进行了高效率的批量复制。通过对x射线光谱成分进行模拟,在x射线束线中插入铬反射镜和氮化硅滤片,得到了能量范围为0.5~2 keV的大面积均匀光斑;根据具体情况对掩模图形进行+5^+35 nm的校正,克服了x射线曝光图形扩展的问题;通过控制掩模与基片软接触产生的莫尔条纹,使曝光间隙降到3μm以下,保证了稳定的曝光结果与高分辨率;所制备的多种单级衍射光栅图形结构复杂,具有纳米尺度特征线宽,剖面陡直,满足单级衍射光栅设计对纳米加工技术的苛刻要求。

关键词： x射线光刻单级衍射光栅光谱优化掩模校正曝光间隙控制

BEPC同步辐射软x射线光刻光束线的总体设计特性

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光学精密工程 1993年第1期1卷 13-21页

作者：邵景鸿徐正良中国科学院长春光学精密机械研究所长春130022

介绍我们为北京正负电子对撞机(Beijing Electron Position Collide,BEPC)同步辐射实验室建造的软x射线光刻光束线的总体设计思想,并说明其中的束线物理设计、反射镜扫描、调整机构、激光模拟光源、真空系统和电子学、微机控制等系统中... 详细信息

介绍我们为北京正负电子对撞机(Beijing Electron Position Collide,BEPC)同步辐射实验室建造的软x射线光刻光束线的总体设计思想,并说明其中的束线物理设计、反射镜扫描、调整机构、激光模拟光源、真空系统和电子学、微机控制等系统中的关键技术。此外,对束线中的关键器件之一的超薄铍窗(18μm厚)的耐压强度给出了与理论计算趋势相一致的实验结果。

关键词： x射线光刻光束线真空扫描铍窗

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同步辐射x射线光刻实验研究

半导体技术 1997年第6期13卷 45-46页

作者：谢常青陈梦真赵玲莉孙宝银韩敬东朱樟震张菊芳中国科学院微电子中心中国科学院高能所

采用侧墙工艺技术研制深亚微米ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射ｘ射线曝光实验。

关键词：同步辐射 x射线光刻 x射线掩模侧墙工艺

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x射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析

微细加工技术 2003年第2期 34-39页

作者：王永坤余建祖余雷陈大鹏北京航空航天大学北京100083 中国科学院微电子中心北京100010

x射线光刻掩模是下一代光刻技术(NGL)中的x射线光刻技术的关键技术难点。在电子束直写后的掩模后烘过程中,掩模表面的温度场分布及温升的均匀性是影响掩模关键尺寸(CD)控制的重要因素,如果控制不当,会造成掩模表面的光刻胶烘烤不均匀,... 详细信息

x射线光刻掩模是下一代光刻技术(NGL)中的x射线光刻技术的关键技术难点。在电子束直写后的掩模后烘过程中,掩模表面的温度场分布及温升的均匀性是影响掩模关键尺寸(CD)控制的重要因素,如果控制不当,会造成掩模表面的光刻胶烘烤不均匀,使掩模吸收体CD分布变坏。针对电子束直写后x射线光刻掩模的后烘过程建立了热模型,并采用有限元技术进行了瞬态温度场的计算。计算结果表明:采用背面后烘方式,在达到稳态时出现高温区和低温区,最大温差为10.19℃,容易造成光刻胶局部烘烤过度,而采用正面后烘方式,掩模达到稳态的时间短,温度分布均匀,烘烤效果好。

关键词： x射线光刻掩模后烘烤有限元技术瞬态温度场

优化抗蚀剂的预烘工艺减小衍射对x射线光刻的影响

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光学技术 2002年第1期28卷 52-53,56页

作者：康士秀中国科技大学天文与应用物理系合肥230026

讨论了衍射效应在微米 /纳米x射线光刻中对分辨率的影响和抗蚀剂的预烘温度与其衬度的关系。分析发现增加抗蚀剂的衬度能有效地提高工艺的容裕度 ,减小衍射作用。实验表明 ,在预烘温度为 170℃时 ,正性抗蚀剂PMMA有最高的衬度为 4 46 ,... 详细信息

讨论了衍射效应在微米 /纳米x射线光刻中对分辨率的影响和抗蚀剂的预烘温度与其衬度的关系。分析发现增加抗蚀剂的衬度能有效地提高工艺的容裕度 ,减小衍射作用。实验表明 ,在预烘温度为 170℃时 ,正性抗蚀剂PMMA有最高的衬度为 4 46 ,负性抗蚀剂PN 114在预烘温度为 115℃时有最高的衬度为 8 40。

关键词：抗蚀剂衍射 x射线光刻预烘工艺优化

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x射线光刻对准边缘增强技术及性能研究

微细加工技术 2004年第2期 17-22页

作者：王德强谢常青叶甜春刘业异胡松中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029 中国科学院光电技术研究所成都610209

针对三种不同的图像边缘增强方法进行了掩模和硅片识别精度以及对准精度的实验验证。采用一种新的测试方法,即先通过软件得到大量的数据,然后再进行数据分析,得出LAPLAC算子在识别精度和对准精度两个方面比较好,而改进后的SOBELII算子... 详细信息

针对三种不同的图像边缘增强方法进行了掩模和硅片识别精度以及对准精度的实验验证。采用一种新的测试方法,即先通过软件得到大量的数据,然后再进行数据分析,得出LAPLAC算子在识别精度和对准精度两个方面比较好,而改进后的SOBELII算子的对准时间最短,对准精度也很高。

关键词： x射线光刻对准系统拉普拉斯算子识别精度对准精度