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Dynamic write-voltage Design and Read-voltage Optimization for MLC NAND Flash Memory

China Communications 2024年第12期21卷 297-308页

作者： Cai Runbin Fang Yi Shi Zhifang Dai Lin Han Guojun School of Information Engineering Guangdong University of TechnologyGuangdong 510006China

To mitigate the impact of noise and inter-ference on multi-level-cell(MLC)flash memory with the use of low-density parity-check(LDPC)codes,we propose a dynamic write-voltage design scheme con-sidering the asymmetric property of raw bit error rate(RBER),which can obtain the optimal write voltage by minimizing a cost *** order to further improve the decoding performance of flash memory,we put forward a low-complexity entropy-based read-voltage optimization scheme,which derives the read voltages by searching for the optimal entropy value via a log-likelihood ratio(LLR)-aware cost *** results demonstrate the superiority of our proposed dynamic write-voltage design scheme and read-voltage optimization scheme with respect to the existing counterparts.

关键词： error correction coding multi-level-cell(MLC) NAND flash memory read voltage write voltage

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