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Single event upset rate modeling for ultra-deep submicron complementary metal-oxide-semiconductor devices
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Science China(Information Sciences) 2016年 第4期59卷 56-66页
作者： Liang HE Hua CHEN Peng SUN Xiaofei JIA Chongguang DAI Jing LIU Long SHAO Zhaoqing LIU School of Advanced Materials and Nanotechnology Xidian University School of Electronic and Information Engineering Ankang University
Based on the integral method of single event upset(SEU) rate and an improved charge collection model for ultra-deep submicron complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) devices, three methods of SEU rate calculatio... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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