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Monolithic optical gates based on integration of evanescently-coupled uni-traveling-carrier photodiodes and electroabsorption modulators
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Chinese Physics B 2010年 第7期19卷 333-337页
作者： 张云霄 廖栽宜 赵玲娟 潘教青 朱洪亮 王圩 Key Laboratory of Semiconductors Materials Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences
We report on chip-scale optical gates based on the integration of evanescent waveguide unitraveling-carrier photo- diodes （EC-UTC-PDs） and intra-step quantum well electroabsorption modulators （IQW-EAMs） on n-InP s... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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