检索结果-南通市图书馆

A novel negative quantum capacitance field-effect transistor with molybdenum disulfide integrated gate stack and steep subthreshold swing for ultra-low power applications

引用

Science China(Information Sciences) 2023年第6期66卷 71-77页

作者： Liang CHEN Huimin WANG Qianqian HUANG Ru HUANG School of Integrated Circuits Peking University Beijing Advanced Innovation Center for Integrated Circuits

Various steep-slope devices based on novel structures and mechanisms garnered considerable attention for their potential in ultra-low power logic applications. In this work, a novel steep-slope negative quantum capacitance field-effect transistor(NQCFET)with molybdenum disulfide(MoS2)-integrated gate stack was realized by theoretical analysis and experimental evaluation. By combining the MoS+2 equivalent capacitance model calibrated with experimental results, the NQCFET device model is further established.The results demonstrated that the optimized MoS2-integrated NQCFET can achieve a subthreshold swing(SS)of sub-60 mV/dec over a current range of 5 decades, with the minimum SS reaching 29 mV/dec,indicating the remarkable potential of MoS2-integrated NQCFETs for ultra-low power applications.

关键词： negative quantum capacitance molybdenum disulfide field-effect transistor subthreshold swing ultra-low power device

来源：

同方期刊数据库评论

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：