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Science in China(Series F) 2008年第4期51卷 440-448页

作者： XIAO DeYuan CHEN Gary LEE Roger LIU Yung SHEN ChiCheong Memory Technology Development Center Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corp.Shanghai 201203 China

A new planar split dual gate （PSDG） MOSFET device, its characteristics and experimental results, as well as the three dimensional device simulations, are reported here for the first time. Both theoretical calculation and 3D simulation, as well as the experiment data, show that the two independent split dual gates can provide dynamical control of the device characteristics, such as threshold voltage （Vt） and sub-threshold swing （SS）, as well as the device saturated current. The PSDG MOSFET transistor leakage current （loft） can be reduced as much as 78% of the traditional single gate MOSFET. The PSDG is fabricated and fully compatible with our conventional 0.18 μm logic process flow.

关键词： novel device MOSFET planar split dual gate tunable sub-threshold swing

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