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Properties of doped ZnO transparent conductive thin films deposited by RF magnetron sputtering using a series of high quality ceramic targets

引用

Rare Metals 2008年第1期27卷 32-35页

作者： LIN Wei MA Ruixin SHAO Wei KANG Bo WU Zhongliang Department of Nonferrous Metallurgy University of Science and Technology Beijing Beijing 100083 China

To obtain high transmittance and low resistivity ZnO transparent conductive thin films,a series of ZnO ceramic targets（ZnO：Al,ZnO：（Al,Dy）,ZnO：（Al,Gd）,ZnO：（Al,Zr）,ZnO：（Al,Nb）,and ZnO：（Al,W）） were fabricated and used to deposit thin films onto glass substrates by radio frequency（RF） magnetron sputtering.X-ray diffraction（XRD） analysis shows that the films are polycrystalline fitting well with hexagonal wurtzite structure and have a preferred orientation of the（002） *** transmittance of above 86% as well as the lowest resistivity of 8.43 × 10^-3 Ω·cm was obtained.

关键词： ZnO transparent conductive thin film RF magnetron sputtering optical properties electrical properties

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