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Structural characterization of Al_(0.55)Ga_(0.45)N epitaxial layer determined by high resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy

引用

Chinese Physics B 2017年第4期26卷 468-471页

作者：徐庆君刘斌张士英陶涛谢自力修向前陈敦军陈鹏韩平张荣郑有炓 Key Laboratory of Advanced Photonic and electronic Materials School of Electronic Science and EngineeringNanjing University College of Optoelectronics Engineering Zaozhuang University

Structural characteristics of Alo.55 Gao.45N epilayer were investigated by high resolution x-ray diffraction（HRXRD）and transmission electron microscopy（TEM）;the epilayer was grown on GaN/sapphire substrates using a high-temperature A1 N interlayer by metal organic chemical vapor deposition *** mosaic characteristics including tilt,twist,heterogeneous strain,and correlation lengths were extracted by symmetric and asymmetric XRD rocking curves as well as reciprocal space map（RSM）.According to Williamson-Hall plots,the vertical coherence length of AlGaN epilayer was calculated,which is consistent with the thickness of AlGaN layer measured by cross section ***,the lateral coherence length was determined from RSM as *** from the tilt and twist results,the screw-type and edge-type dislocation densities are 1.0×10~8 cm^（-2） and 1.8×10^（10） cm^（-2）,which agree with the results observed from TEM.

关键词： AlxGa1-xN high-temperature AlN interlayer high resolution x-ay diffraction transmission elec-tron microscopy

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