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检索条件"主题词=three-dimension ICs"
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Neutron-induced single event upset simulation in Geant4 for three-dimensional die-stacked SRAM
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Chinese Physics B 2021年 第3期30卷 394-401页
作者: 莫莉华 叶兵 刘杰 罗捷 孙友梅 蔡畅 李东青 赵培雄 贺泽 Institute of Modern Physics Chinese Academy of SciencesLanzhou 730000China University of Chinese Academy of Sciences Beijing 100049China
three-dimensional integrated circuits(3D ics)have entered into the mainstream due to their high performance,high integration,and low power consumption.When used in atmospheric environments,3D ics are irradiated inevit... 详细信息
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