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Shallowing interfacial carrier trap in transition metal dichalcogenide heterostructures with interlayer hybridization

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Nano Research 2021年第5期14卷 1390-1396页

作者： Xu Wu Jingsi Qiao Liwei Liu Yan Shao Zhongliu Liu Linfei Li Zhili Zhu Cong Wang Zhixin Hu Wei Ji Yeliang Wang Hongjun Gao School of Information and Electronics MIIT Key Laboratory for Low-Dimensional Quantum Structure and DevicesBeijing Institute of TechnologyBeijing100081China Institute of Physics&University of Chinese Academy of Sciences Chinese Academy of SciencesBeijing100190China Beijing Key Laboratory of Optoelectronic Functional Materials&Micro-Nano Devices Department of PhysicsRenmin University of ChinaBeijing100872China Center for Joint Quantum Studies and Department of Physics Tianjin UniversityTianjin300350China CAS Center for Excellence in Topological Quantum Computation Beijing100049China

With the unique properties,layered transition metal dichalcogenide(TMD)and its heterostructures exhibit great potential for applications in *** electrical performance,e.g.,contact barrier and resistance to electrodes,of TMD heterostructure devices can be significantly tailored by employing the functional layers,called interlayer *** the interface between different TMD layers,the dangling-bond states normally exist and act as traps against charge carrier *** this study,we propose a technique to suppress such carrier trap that uses enhanced interlayer hybridization to saturate dangling-bond states,as demonstrated in a strongly interlayer-coupled monolayer-bilayer PtSe2 *** hybridization between the unsaturated states and the interlayer electronic states of PtSe2 significantly reduces the depth of carrier traps at the interface,as corroborated by our scanning tunnelling spectroscopic measurements and density functional theory *** suppressed interfacial trap demonstrates that interlayer saturation may offer an efficient way to relay the charge flow at the interface of TMD ***,this technique provides an effective way for optimizing the interface contact,the crucial issue exists in two-dimensional electronic community.

关键词： transition metal dichalcogenide PtSe2 layered heterostructure band alignment strong interlayer interaction

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