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ELECTRONIC STRUCTURES OF (CdSe)_n/(ZnSe)_m strained-layer superlatticeS

Acta Metallurgica Sinica(English Letters) 1997年第1期10卷 10-16页

作者： HL. Huang J.H Xing G.L. Liu and G.Y Zhang(Department of Electrouic Science and Engineering, Liaoning University Shenyang 110036, China)(Department of Physics, Liaoning University Shenyang 110036, China)(Shenyang Polytechnic University Shenyan 110023, Chin Liaoning Univ Shenyang China

The electronic structures of (CdSe)n/(ZnSe)m strained-lager soperfattice (SLS) were investigated by the recursion method in the tight-bindiop opproximation. The total,local, and partial density of states were calculated for n=1, m=*** total density of states (TDOS) for bulk CdSe, ZnSe and n=1, 3, m=1, 3, 5, for SLS were *** energy, the band gap, the valence of an atom, and the ionization potential and the electron affinity were discassed.

关键词： density of state strained layer superlattice CdSe/ZnSe Fermi energy band gap

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