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Degradation and breakdown behaviors of SGTs under repetitive unclamped inductive switching avalanche stress

Chinese Physics B 2022年第9期31卷 482-487页

作者： Chenkai Zhu Linna Zhao Zhuo Yang Xiaofeng Gu Engineering Research Center ofIoT Technology Applications(Ministry of Education) Department of Electronic EngineeringJiangnan UniversityWuxi 214122China Wuxi NCE Power Company Ltd.Wuxi 214028China

The repetitive unclamped inductive switching(UIS)avalanche stress is conducted to investigate the degradation and breakdown behaviors of conventional shield gate trench MOSFET(C-SGT)and P-ring SGT MOSFETs(P-SGT).It is found that the static and dynamic parameters of both devices show different degrees of *** experimental and simulation results,the hot holes trapped into the Si/SiO_(2) interface and the increase of crystal lattice temperature should be responsible for the degradation and breakdown ***,under repetitive UIS avalanche stress,the reliability of P-SGT overcomes that of C-SGT,benefitting from the decreasing of the impact ionization rate at bottom of field oxide caused by the existence of P-ring.

关键词： shield gate trench MOSFET repetitive unclamped inductive switching stress degradation static and dynamic parameters

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