检索结果-南通市图书馆

Science China(Information Sciences) 2011年第5期54卷 1061-1072页

作者： LAM Chung IBM Research T.J. Watson Research Center Yorktown Heights New York 10598 USA

Phase change memory (PCM) is a non-volatile solid-state memory technology based on the large resistivity contrast between the amorphous and crystalline states in phase change materials. We present the physics behind this large resistivity contrast and describe how it is being exploited to create high density PCM. We address the challenges facing this technology, including the design of PCM cells, fabrication, device variability, thermal cross-talk and write disturb. We discuss the scalability, assess the performance, and examine the reliability of PCM including data retention, multi-bit storage and endurance.

关键词： solid state memory non-volatile DRAM flash phase change resistive memory data retention write endurance solid-state drive computer memory

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