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10 × 10 Ga_(2)O_(3)-based solar-blind UV detector array and imaging characteristic

Journal of Semiconductors 2024年第9期45卷 61-69页

作者： Haifeng Chen Zhanhang Liu Yixin Zhang Feilong Jia Chenlu Wu Qin Lu Xiangtai Liu Shaoqing Wang Key Laboratory of Advanced Semiconductor Devices and Materials School of Electronic EngineeringXi’an University of Posts andT elecom-municationsXi’an 710121China

A 10 × 10 solar-blind ultraviolet(UV) imaging array with double-layer wire structure was prepared based on Ga_(2)O_(3) film grown by atomic layer deposition. These single detection units in the array exhibit excellent performance at 3 V: photo-todark current ratio(PDCR) of 5.5 × 10^(5), responsivity(R) of 4.28 A/W, external quantum efficiency(EQE) of 2.1 × 10^(3)%, detectivity(D*) of 1.5 × 10^(14) Jones, and fast response time. The photodetector array shows high uniformity under different light intensity and low operating bias. The array also has good temperature stability. Under 300 ℃, it still presents clear imaging and keeps high R of 34.4 and 6.45 A/W at 5 and 1 V, respectively. This work provides a new insight for the large-scale array of Ga_(2)O_(3) solarblind UV detectors.

关键词： Ga_(2)O_(3) solar-blind ultraviolet photodetector array photo-to-dark current ratio

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