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Design of a 1.12Gb/s 11.3mW low-voltage differential signaling transmitter

Journal of Semiconductors 2015年第4期36卷 115-121页

作者：苏源向济璇沈骁樱叶凡任俊彦 State Key Laboratory of ASIC & System Microelectronics Science and Technology Innovation Platform Fudan University

This paper presents a 1.12 Gb/s 11.3 mW transmitter using 0.18μm mixed signal complementary metal- oxide semiconductor technology with a 1.8 V supply voltage. This transmitter implements a high-speed transmission with 1.2 V common-mode output voltage, adopting a low-voltage differential signaling （LVDS） technique. A multiplexer （mux） and an LVDS driver are critical for a transmitter to complete a high-speed data transmission. This paper proposes a high power-efficiency single-stage 14 ： 1 mux and an adjustable LVDS driver circuit, capable of driving different loads with a slight increase in power consumption. The prototype chip implements a transmitter with a core area of 970 × 560μm2, demonstrating low power consumption and adjustable driving capability.

关键词： transmitter LVDS tree-type mux single-stage mux adjustable driver high power efficiency

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