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Micron-sized diamond particles containing Ge-V and Si-V color centers

Chinese Physics B 2019年第7期28卷 354-360页

作者： Hang-Cheng Zhang Cheng-Ke Chen Ying-Shuang Mei Xiao Li Mei-Yan Jiang Xiao-Jun Hu College of Materials Science and Engineering Zhejiang University of Technology

Micron-sized diamond particles containing germanium-vacancy(Ge-V) color centers with a zero-photon line(ZPL)around 602.3 nm are successfully grown using hot filament chemical vapor *** crystal morphology changes from icosahedron to truncated octahedron and decahedron, finally becomes spherical with the growth pressure *** to the chamber containing Si, all diamond particles contain silicon-vacancy(Si-V) color *** growth pressure contributes to the formation of Ge-V and Si-V in *** prolonging growth time, the change in the full width at half maximum(FWHM) of the diamond peak is small, which shows that the concentration of Ge-V and Si-V centers nearly maintains a *** FWHM of the Ge-V ZPL is around 4 nm, which is smaller than that reported, suggesting that the Ge-V center has a more perfect ***-V and Si-V photoluminescence(PL) intensities increase with the prolonging growth time due to the increased diamond content and reduced content of sp^2-bonded carbon and *** summary, increasing the growth pressure and prolonging the growth time are beneficial to enhance the Ge-V and Si-V PL intensities.

关键词： diamond germanium-vacancy silicon-vacancy photoluminescence

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