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Short-wavelength InAlGaAs/AlGaAs quantum dot superluminescent diodes

Chinese Physics B 2011年第10期20卷 486-490页

作者：梁德春安琪金鹏李新坤魏恒吴巨王占国 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences

This paper reports the fabrication of J-shaped bent-waveguide superluminescent diodes utilizing an InAl- GaAs/AlGaAs quantum dot active region. The emission spectrum of the device is centred at 884 nm with a full width at half maximum of 37 nm and an output power of 18 mW. By incorporating an Al composition into the quan- tum dot active region, short-wavelength superluminescent diode devices can be obtained. An intersection was found for the light power-injection current curves measured from the straight-waveguide facet and the bent-waveguide facet, respectively. The result is attributed to the conjunct effects of the gain and the additional loss of the bent waveguide. A numerical simulation is performed to verify the qualitative explanation. It is shown that bent waveguide loss is an important factor that affects the output power of J-shaped superluminescent diode devices.

关键词： InAiGaAs quantum dot superluminescent diode optical coherence tomography shortwavelength

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