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Study the Characteristics of Titanium Oxide Hydrogen Ion Sensor Using XRD and AES

稀有金属材料与工程 2006年第A03期35卷 250-251页

作者： Jung-Chuan Chou Hung-Hsi Yang Graduate School of Electronic Engineering National Yunlin University of Science and TechnologyDouliouTaiwan 640China

We study the extended gate ion sensitive structure,and deposit the titanium oxide (TiO_2) thin film on p-type (100) silicon *** device of the hydrogen ion sensing structure is TiO_2/Si-substrate,and a commercial device of the metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) is connected to the separative sensing *** sensitivity and linearity are measured under different work *** the mixed ratio of Ar/O_2 is 80 ml·min^(-1)/20 ml·min^(-1),the work pressure is 4 Pa,the sputtering power is 150 W,and the sputtering time is two hours,the better sensing properties of the sensitivity and linearity are 36.49 mV/pH and 0.99654,***,some instruments are analyzed the surface of TiO_2 membrane,such as X-ray diffraction (XRD) and Auger Electron Spectrometer (AES).The characteristics of TiO_2 thin film can be demonstrated.

关键词： titanium oxide separative sensing device sensitivity linearity X-ray diffraction auger electron spectrometer

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