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The investigation on sensitive mapping of memory cell in microprocessor

Journal of Semiconductors 2015年第11期36卷 44-47页

作者：于春青范隆岳素格陈茂鑫杜守刚郑宏超 Beijing Microelectronics Technology Institute Beijing University of Aeronautics & Astronautics

The single event effects of the sensitivity of a circuit are investigated on a 32-bit microprocessor with a five-stage instruction pipeline by pulsed laser test. The investigation on sensitive mapping of the memory cell is illustrated and then the comparison between the sensitive mapping and the layout of the circuit is made. A comparison result indicates that the area of the sensitive node in sensitive mapping is just the location of the drain in the layout. Therefore, SEE sensitivity in sensitive mapping fits well with that in the physical layout of functional units, which can directly and objectively indicate the size and distribution of sensitive areas. The investigation of sensitive mapping is a meaningful way to verify the hardened effect and provide a reference for improving hardened design by combining with the physical layout.

关键词： single event effects memory cells microprocessor sensitive mapping

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