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Effect of longitudinal applied magnetic field on the self-pinched critical current in intense electron beam diode

Chinese Physics B 2006年第3期15卷 600-603页

作者：刘国治黄文华邵浩肖仁珍 Xi'an Jiaotong University Xi'an 710049 China Northwest Institute of Nuclear Technology Xi'an 710094 China

The effect of applied longitudinal magnetic field on the self-pinched critical current in the intense electron beam diode is discussed. The self-pinched critical current is derived and its validity is tested by numerical simulations. The results shows that an applied longitudinal magnetic field tends to increase the self-pinched critical current. Without the effect of anode plasma, the maximal diode current approximately equals the self-pinched critical current with the longitudinal magnetic field applied; when self-pinched occurs, the diode current approaches the self-pinched critical current.

关键词： intense electron beam diode self-pinched current

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