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Crosstalk of HgCdTe LWIR n-on-p diode arrays

Journal of Semiconductors 2009年第9期30卷 49-52页

作者：孙英会张波于梅芳廖清君张燕文鑫姜偑璐胡晓宁戴宁 Shanghai Institute of Technical Physics Chinese Academy of Sciences

Crosstalk of HgCdTe long-wavelength infrared （LWIR） n-on-p diode arrays was measured using scanning laser microscopy. During the measurement, HgCdTe diode arrays with different diode pitches were frontside illuminated by a He-Ne laser at liquid nitrogen temperature and room temperature. The experimental results show that crosstalk between the nearest neighboring diodes decreases exponentially as the diode pitch increases, and the factors that affect the obtained crosstalk are presented and analyzed. Crosstalk out of the nominal diode area （optically sensitive area） is also measured and discussed.

关键词： crosstalk HgCdTe n-on-p diode arrays scanning laser microscope

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