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Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes

Journal of Semiconductors 2005年第2期26卷 414-417页

作者：杨辉陈良惠张书明种明朱建军赵德刚叶小军李德尧刘宗顺段俐宏赵伟王海史永生曹青孙捷陈俊刘素英金瑞琴梁骏吾中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京100083 中国科学院半导体研究所纳米光电子学实验室北京100083

Studies on first GaN-based blue-violet laser diodes(LDs) in China mainland are *** quality GaN materials as well as GaN-based quantum wells laser structures are grown by metal-organic chemical vapor deposition *** X-ray double-crystal diffraction rocking curve measurements show the full-width half maximum of 180″ and 185″ for (0002) symmetric reflection and (10 12) skew reflection,respectively.A room temperature mobility of 850cm2/(V·s) is obtained for a 3μm thick GaN *** guided and ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated with cleaved facet mirrors at room temperature under pulse current *** lasing wavelength is 405 9nm.A threshold current density of 5kA/cm2 and an output light power over 100mW are obtained for ridge geometry waveguide laser diodes.

关键词： metalorganic chemical vapor deposition GaN-based laser diodes multiple quantum wells ridge geometry structure threshold current density

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