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resistive switching Behavior of Ag/Mg0.2Zn0.8O/ZnMn2O4/p^+-Si Heterostructure Devices for Nonvolatile Memory Applications

引用

Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science) 2017年第1期32卷 29-32页

作者：韦长成王华 XU Jiwen ZHANG Yupei ZHANG Xiaowen YANG Ling School of Materials Science and Engineering Guilin University of Electrnic TechnologyGuilin 541004China

The Ag/Mg0.2Zn0.8O/ZnMn2O4/p^＋-Si heterostructure devices were fabricated by sol-gel spin coating technique and the resistive switching behavior,conduction mechanism,endurance characteristic,and retention properties were investigated.A distinct bipolar resistive switching behavior of the devices was observed at room temperature.The resistance ratio R_（HRS）/RLRS of high resistance state and low resistance state is as large as four orders of magnitude with a readout voltage of 2.0 V.The dominant conduction mechanism of the device is trap-controlled space charge limited current（SCLC）.The devices exhibit good durability under 1×10^3cycles and the degradation is invisible for more than 10^6 s.

关键词： heterostructure Ag/Mg0.2Zn0.8O/ZnMn2O4/p^＋-Si devices resistive switching properties

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