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Recent development of studies on the mechanism of resistive memories in several metal oxides

Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2013年第12期56卷 2361-2369页

作者： TIAN XueZeng WANG LiFen LI XiaoMin WEI JiaKe YANG ShiZe XU Zhi WANG WenLong BAI XueDong Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics Institute of PhysicsChinese Academy of Sciences

resistive switching random access memories(RRAM)have been considered to be promising for future information technology with applications for non-volatile memory,logic circuits and neuromorphic *** performances of those resistive devices are approaching the realistic levels for *** this paper,we review the progress of valence change type memories,including relevant work reported by our *** electrode engineering and in-situ transmission electron microscopy(TEM)high-resolution observation have been implemented to reveal the influence of migration of oxygen anions/vacancies on the resistive switching *** understanding of resistive memory mechanism is significantly important for device applications.

关键词： resistive switching effect valence change memory electrode engineering in-situ TEM

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