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Near-Threshold Wide-Voltage design Review

Tsinghua Science and Technology 2023年第4期28卷 696-718页

作者： Yan Zhao Jun Yang Chao Chen Weiwei Shan Peng Cao Yongliang Zhou Ziyu Li Tai Yang National Application Specific Integrated Circuit(ASIC)Center Southeast UniversityNanjing 210096China

This paper presents a comprehensive review of near-threshold wide-voltage designs on memory,resilient logic designs,low voltage Radio Frequency(RF)circuits,and timing *** the prosperous development of wearable applications,low power consumption has become one of the primary challenges for IC *** improve the power efficiency,the prefer scheme is to operate at an ultra low voltage of Near Threshold Voltage(NTV).For the performance variation and degradation,a self-adaptive margin assignment technique is proposed in the low *** proposed technique tracks the circuit states in real time and dynamically allocates voltage margins,reducing the minimum supply voltage and achieving higher energy *** self-adaptive margin assignment technique can be used in Static Random Access Memory(SRAM),digital circuits,and analog/RF *** on the self-adaptive margin assignment technique,the minimum voltage in the 40 nm CMOS process is reduced to 0.6 V or even lower,and the energy efficiency is increased by 3–4 times.

关键词： Near Threshold Voltage(NTV) wide-voltage memory resilient logic design low voltage Radio Frequency(RF) timing analysis

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