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A novel thin drift region device with field limiting rings in substrate

Chinese Physics B 2011年第11期20卷 433-437页

作者：李琦朱金鸾王卫东韦雪明 Guangxi Key Laboratory of Information and Communication Guilin University of Electronic Technology Guilin Strong Micro Electronics Co. Ltd

A novel thin drift region device with heavily doped N＋ rings embedded in the substrate is reported, which is called the field limiting rings in substrate lateral double-diffused MOS transistor （SFLR LDMOS）. In the SFLR LDMOS, the peak of the electric field at the main junction is reduced due to the transfer of the voltage from the main junction to other field limiting ring junctions, so the vertical electric field is improved significantly. A model of the breakdown voltage is developed, from which optimal spacing is obtained. The numerical results indicate that the breakdown voltage of the device proposed is increased by 76% in comparison to that of the conventional LDMOS.

关键词： field limiting ring reduced surface field reduced bulk field breakdown voltage

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