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Properties of Excitons Bound to Neutral Donors in GaAs-AlxGa1-xAs quantum-well wires

Communications in Theoretical Physics 2006年第5期45卷 945-949页

作者： DI Bing LIU Jian-Jua College of Physics Hebei Normal University Shijiazhuang 050010 China

In the effective-mass approximation, using a simple two-parameter wave function and a one-dimensional （ID） equivalent potential model, we calculate variationally the binding energy of an exciton bound to a neutral donor （D^0, X） in finite GaAs-AIxGa1-xAs quantum well wires （QWWs）. At the wire width of 25 A, the binding energy has a peak value, which is also at the position of the peak of the exciton binding energy, and the center-of-mass wave functions of excitons reaches the most centralized distribution. In addition, the changing tendency of the average interparticle distance as the wire width is reverse to that of the binding energy.

关键词： quantum-well wires excitons bound to a neutral donor binding energy

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