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Compact analytical model of double gate junction-less field effect transistor comprising quantum-mechanical effect

Journal of Semiconductors 2015年第2期36卷 42-47页

作者： Shoubhik Gupta Bahniman Ghosh Shiromani Balmukund Rahi Department of Electrical Engineering Indian Institute of Technology Kanpur

We investigate the quantum-mechanical effects on the electrical properties of the double-gate j unction- less field effect transistors. The quantum-mechanical effect, or carrier energy-quantization effects on the threshold voltage, of DG-JLFET are analytically modeled and incorporated in the Duarte et al. model and then verified by TCAD simulation.

关键词： quantum-mechanical effect junction-less transistor threshold voltage oxide thickness

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