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A quantum-confinement model for surrounding-gate MOSFETS from subthreshold to strong-inversion regions

Science China(Information Sciences) 2012年第10期55卷 2399-2408页

作者： LIU LinLin & LI ZunChao School of Electronics and information Engineering,Xi’an Jiaotong University,Xi’an 710049,China School of Electronics and information Engineering Xi’an Jiaotong University Xi’an China

A new analytical model is developed for quantum-confinement effects of short channel surroundinggate *** eigenenergies and wavefunctions are obtained by solving Schrdinger’s equation with an accurate potential energy *** potential energy distribution is derived from the solution of Poisson’s equation,which contains both depletion charge and free *** eigenenergies obtained from our model are compared with other two quantum-confinement models,which use flat-well approximation and parabola-well approximation as the potential energy distributions,*** we point out the relationship between the eigenenergies and the potential energy distribution for the first *** on this model,the electron density with quantum confinement effects are derived,and threshold voltage is defined based on average electron *** considering quantum confinement effects,the electron density becomes smaller while the threshold voltage becomes *** results show that this model is applicable from the subthreshold region to the stronginversion region in different channel doping conditions.

关键词： surrounding gate quantum-confinement effects potential energy MOSFET

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