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Effect of Annealing Temperatures on the Structural and Electrical Properties of laser Induced Plasma for TiO2x-1Bix Thin Films

引用

Journal of Physical Science and Application 2016年第1期6卷 36-43页

作者： Sabah N. Mazhir Ghuson H. Mohamed Kadhim A. Aadem Maysoon D. Radhi Department of Physics Collage of Science for Women University of Baghdad Baghdad Iraq Department of Physics Collage of Science University of Baghdad Baghdad Iraq

In this study, Bismuth doped Titanium dioxide thin films were deposited on glass substrates by a pulse laser deposition using laser. The effect of annealing temperature on the structural and electrical properties was investigated. X-ray diffraction pattern for pure and doped titanium dioxide films with different doping different ratio with Bi show that these films have amorphous structure oanvert to polycrystalline structure with annealing and doping and have a good identically with standard peaks for Anatase and Rutile phases. The orientation was at specific direction for Rutile. The crystalline of films increases by the increase of doping ratio. The crystalline increased with annealing temperature. Annealed films at different annealing temperatures have been studied. The results show that these films have two activation energies and by increasing the doping ratio, the activation energies and the conductivity increase. Both the annealing and composition effects on Hall constant, density of electron carders and Hall mobility are studied. Hall Effect measurements show that all films have n- type charge conductivity and the concentration increases while the mobility decreases with doping and annealing.

关键词： Electrical properties structural properties TiO2 thin films pulse laser deposition technique.

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