检索结果-南通市图书馆

Communications in Theoretical Physics 2019年第3期71卷 349-356页

作者： F.Samadani R.Ansari K.Hosseini A.Zabihi Department of Mechanical Engineering University of Guilan Department of Mathematics Rasht Branch Islamic Azad University Department of Mechanical Engineering Ahrar Institute of Technology & Higher Education

The current paper presents a thorough study on the pull-in instability of nanoelectromechanical rectangular plates under intermolecular, hydrostatic, and thermal actuations. Based on the Kirchhoff theory along with Eringen's nonlocal elasticity theory, a nonclassical model is developed. Using the Galerkin method(GM), the governing equation which is a nonlinear partial differential equation(NLPDE) of the fourth order is converted to a nonlinear ordinary differential equation(NLODE) in the time domain. Then, the reduced NLODE is solved analytically by means of the homotopy analysis method. At the end, the effects of model parameters as well as the nonlocal parameter on the deflection, nonlinear frequency, and dynamic pull-in voltage are explored.

关键词： Nanoelectromechanical rectangular plates pull-in instability Kirchhoff theory Eringen's nonlocal elasticity theory Homotopy analysis method

衔铁平行运动的磁微执行器pull-in机理分析

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传感技术学报 2009年第4期22卷 471-475页

作者：方玉明李伟华南京邮电大学电子科学与工程学院南京210003 东南大学MEMS教育部重点实验室南京210096

与静电微执行器类似,磁微执行器中也存在重要的pull-in失稳问题。但相对于静电微执行器详尽的模型相比,研究磁微执行器的文献很少。对于宏观器件,由于磁芯磁阻可以忽略,所以可利用电磁类比,得到pull-in失稳参数。而对于微观器件,磁芯磁... 详细信息

与静电微执行器类似,磁微执行器中也存在重要的pull-in失稳问题。但相对于静电微执行器详尽的模型相比,研究磁微执行器的文献很少。对于宏观器件,由于磁芯磁阻可以忽略,所以可利用电磁类比,得到pull-in失稳参数。而对于微观器件,磁芯磁阻不可以忽略,不可利用电磁类比。基于小信号模型对衔铁平行运动的磁微执行器pull-in的失稳现象首先进行了分析和建模,考虑了微磁芯磁阻,在建立磁微执行器动态小信号模型的基础上,分析发现衔铁平行运动的磁微执行器中不存在pull-in现象。然后又采用能量法研究了同样的pull-in失稳问题,得出了和力法相同的结论。最后,给出了一个分析实例,以反映微磁芯磁阻对pull-in的影响,同时证实了衔铁平行运动的磁微执行器中不存在pull-in现象的结论。结论对于磁微执行器的设计具有重要意义。

关键词： MEMS 磁微执行器 pull-in

考虑边缘效应的平行平板式静电微执行器pull-in模型

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传感技术学报 2011年第6期24卷 848-852页

作者：方玉明李普南京邮电大学电子科学与工程学院南京210003 东南大学机械工程学院南京211189

在MEMS执行器的设计中,求出准确的pull-in参数是至关重要的。在过去的研究中,对于漏电场不能忽略的平行平板式静电微执行器,通常只能采用有限元法数值求解。但是,有限元法繁琐、费时而且不直观。平行平板电容器的漏电容解析模型通常有两... 详细信息

在MEMS执行器的设计中,求出准确的pull-in参数是至关重要的。在过去的研究中,对于漏电场不能忽略的平行平板式静电微执行器,通常只能采用有限元法数值求解。但是,有限元法繁琐、费时而且不直观。平行平板电容器的漏电容解析模型通常有两种:一种简单的;一种详细的。基于这两种漏电容解析模型,分别导出了漏电场不能忽略的平行平板式微执行器的pull-in失稳方程,并将求解结果与ANSYS耦合场分析结果做了对比。结果表明,基于详细漏电容模型的结果精度良好,而且相对误差不随着极板间距的增大而增大。基于简单漏电容模型的结果精度太低,尤其在极板间距较大时。

关键词： MEMS pull-in 微执行器边缘效应

Molecular Dynamic Study of pull-in Instability of Nano-Switches

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Advances in Nanoparticles 2014年第3期3卷 122-132页

作者： Sogand Hoshyarmanesh Mohsen Bahrami Department of Mechanical Engineering Amirkabir University of Technology Tehran Iran

Capacitive nano-switches have been of great interest as replacements for conventional semiconductor switches. Accurate determination of the pull-in voltage is critical in the design process. In the present investigation, pull-in instability of nano-switches made of two parallel plates subjected to electrostatic force is studied. For this purpose, two parallel rectangular nanoplates with opposite charges are modeled based on molecular dynamics (MD) technique. Different initial gaps between nanoplates and its effect on pull-in phenomena are studied in addition to taking different values of geometrical and physical parameters into account to evaluate pull-in voltages. Here molecular dynamic simulations as an atomic interaction approach are employed for modeling of nano-switches in order to study pull-in instability considering atomic interaction and surface tension. Boundary conditions and also the van der Waals force are considered as important parameters to investigate their effects on pull-in voltage values.

关键词： Nanomechanics pull-in Instability Electric Field Molecular Dynamics Simulation van der Waals Force

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一种磁微执行器pull-in模型

Journal of Semiconductors 2007年第10期28卷 1647-1651页

作者：方玉明黄庆安李伟华东南大学MEMS教育部重点实验室

与静电微执行器类似,磁微执行器中也存在重要的pull-in失稳问题.对于宏观器件,由于磁芯磁阻可以忽略,所以可以利用电磁类比,得到pull-in失稳参数.但对于微观器件,磁芯磁阻不可以忽略,也不可以利用电磁类比.文中首先采用力法对磁微执行器... 详细信息

与静电微执行器类似,磁微执行器中也存在重要的pull-in失稳问题.对于宏观器件,由于磁芯磁阻可以忽略,所以可以利用电磁类比,得到pull-in失稳参数.但对于微观器件,磁芯磁阻不可以忽略,也不可以利用电磁类比.文中首先采用力法对磁微执行器pull-in的失稳现象进行了分析和建模,考虑了微磁芯磁阻,在建立磁微执行器动态小信号模型的基础上,导出了两个pull-in失稳方程.通过求解这两个方程,可以得到pull-in失稳电流和位置两个重要参数.然后又采用能量法研究了同样的pull-in失稳现象,得出了和力法相同的结论.最后,给出了一个分析实例,以反映微磁芯磁阻对pull-in的影响.文中的结论对于磁微执行器的设计具有重要意义.

关键词：磁微执行器 pull-in

An Effective Algorithm for pull-in and Tracking Processing of Weak GNSS Signal

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An Effective Algorithm for Pull-in and Tracking Processing o...

Analysis for pull-in Voltage of a Multilayered Micro-Bridge Driven by Electrostatic Force

第三届中国卫星导航学术年会

作者： Ba Xiaohui, Wang Yun, Chen Jie, Li Jian, Lu Zhenpeng Communication and Multimedia SoC Lab, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences

Usually, a GPS receiver uses the digital phase-locked loop （DPLL） or digital frequency-locked loop （DFLL） as the carrier tracking loop. The success rate of pull-in process may be low under the condition of very low signal-to-noise rate （SNR）, which will affect the time to first fix （TTFF） even if the receiver can successfully acquire the weak signal. An effective algorithm based on FFT for pull-in and tracking processing of weak GNSS signal is presented, which overcomes the influence of the navigation bit transition. The algorithm realizes a lot non-coherent integration through FFT processing and every input point of FFT is the accumulation of coherent integration of 20ms. The outputs of FFT show the frequency offset, according to which the local carrier frequency is adjusted. The experimental results show that this method can effectively improve the success rate of the pull-in process and reduce the time-consuming of the pull-in process when the GPS signal power level is as low as -155dBm. After pull-in process, the method also can keep steady tracking under the same condition.

关键词： pull-in Tracking Weak Signal GNSS

来源： cnki会议评论

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Engineering（科研） 2010年第1期2卷 55-59页

作者： Y. LIU G.C. WANG H.Y. YANG 不详

A trial solution for bending deflection of a multilayered micro-bridge subject to a voltage induced load is presented. The relation between the applied voltage and the displacements of the micro-bridge in the pull-in state is analyzed by energy method. Furthermore, two analytical expressions about normalized displacement and pull-in voltage are carried out. It’s proved that the value of normalized displacement is not influenced by residual stress if axial and shear deformation is ignored. Finally, the theoretical results are compared with that of FEM, and they show good agreement.

关键词： MEMS Electrostatic Actuation Multilayered Micro-Bridge Trial Solution Energy Method pull-in Voltage

扭转MEMS光开关的pull-in分析与阻尼补偿输入整形控制

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扭转MEMS光开关的Pull-in分析与阻尼补偿输入整形控制

作者：陈时荣桂林电子科技大学

学位级别：硕士

MEMS光开关以其响应速度快、空间光交换、微型化以及与传统CMOS工艺兼容等优点,已经成为了通信应用中数据交换的重要构件。在MEMS光开关的产业链中,国内的个别公司一般只对芯片进行后端封装,无法设计与制造一款性能优异的扭转MEMS光开关... 详细信息

MEMS光开关以其响应速度快、空间光交换、微型化以及与传统CMOS工艺兼容等优点,已经成为了通信应用中数据交换的重要构件。在MEMS光开关的产业链中,国内的个别公司一般只对芯片进行后端封装,无法设计与制造一款性能优异的扭转MEMS光开关,原因之一是对垂直梳齿MEMS光开关的pull-in现象与力学特性研究还不够深入。而且市场上大部分MEMS光开关用单阶跃控制器实现光开关的控制,光开关在目标位置周围剧烈震荡,减缓开关响应速度。为了解决这些问题,本文首先对MEMS光开关建立动力学模型并验证其静态模型的有效性,为后面的控制器分析打下基础。其次在建立模型的基础上,分析了pull-in效应,通过构造满量程光开关,详细地介绍了如何消除pull-in效应,并分析了关键尺寸参数对驱动曲线的影响。然后分析MEMS光开关在不同控制器下的动态响应,对能量守恒的输入整形控制器进行2倍阻尼损耗补偿,能明显改善残余震荡,加速响应速度。最后分析补偿阻尼损耗的能量守恒输入整形控制器对转动惯量I与阻尼系数c的鲁棒性,发现该控制器对5%的转动惯量误差以及15%的阻尼系数误差仍然有较好的动态响应。

关键词： MEMS光开关 pull-in 阻尼补偿参数不确定度

考虑漏磁效应的平行平板式磁微执行器pull-in模型

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半导体技术 2012年第6期37卷 448-451页

作者：郄军建方玉明徐琳南京邮电大学电子科学与工程学院南京210003

pull-in参数是设计磁微执行器时需要考虑的一项重要参数。研究漏磁效应对pull-in参数的影响时,通常采用有限元法求数值解,需要反复重新建模,工作量大,因而需要一个解析模型。对于平行平板式磁微执行器,给出了详细的漏磁阻模型。将漏磁... 详细信息

pull-in参数是设计磁微执行器时需要考虑的一项重要参数。研究漏磁效应对pull-in参数的影响时,通常采用有限元法求数值解,需要反复重新建模,工作量大,因而需要一个解析模型。对于平行平板式磁微执行器,给出了详细的漏磁阻模型。将漏磁阻的解析式带入到pull-in方程组中便可得到一对考虑了漏磁影响的pull-in参数。利用有限元法对器件的pull-in特性进行了仿真。将考虑漏磁影响的理论值和不考虑漏磁影响的理论值分别与有限元分析结果做对比,结果表明,不考虑漏磁影响时,pull-in参数的误差随着极板间距的增大而增大。利用漏磁阻模型求出的pull-in参数具则有良好的精度,并且相对误差不随极板间距的增大而增大。

关键词： pull-in 磁微执行器漏磁阻耦合场分析有限元法

串联电容对扭转静电微执行器pull-in稳定的影响

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微电子学 2011年第6期41卷 910-913页

作者：方玉明南京邮电大学电子科学与工程学院南京210003

在MEMS执行器的设计中,求出准确的pull-in电压值是至关重要的。针对扭转式静电微执行器,采用串联电容方法来拓宽MEMS执行器的pull-in行程,提出了相应的pull-in模型,并给出了算例的数值结果。这些结果对扭转式静电微执行器的设计具有一... 详细信息

在MEMS执行器的设计中,求出准确的pull-in电压值是至关重要的。针对扭转式静电微执行器,采用串联电容方法来拓宽MEMS执行器的pull-in行程,提出了相应的pull-in模型,并给出了算例的数值结果。这些结果对扭转式静电微执行器的设计具有一定的参考价值。

关键词： pull-in MEMS 扭转微执行器