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A bidirectional threshold switching selector with a symmetric multilayer structure

Science China(Information Sciences) 2021年第4期64卷 208-213页

作者： Qingjiang LI Kun LI Yongzhou WANG Sen LIU Bing SONG College of Electronic Science and Technology National University of Defense Technology

Selectors have been proposed as a highly effective tool for suppressing substantial leakage currents without sacrificing the high density of resistive random-access memory(RRAM) crossbar arrays. Among various selector types, the programmable metallization cell(PMC) selector is promising due to its simple structure and high selectivity. In this work, we demonstrate a new PMC selector that exhibits bidirectional threshold switching behavior by implementing symmetric multilayer dielectrics. The proposed Ag/SiTe/HfO/SiTe/Ag selector device has a low off current( 10~5), and low threshold voltage variation(cell via a wire, the proposed selector successfully suppresses the leakage current of an unselected device below the threshold voltage.

关键词： threshold switching selector resistive random access memory leakage current programmable metallization cell

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