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Study on Simulation and profile Prediction of Atomic Layer Deposition

Journal of Microelectronic Manufacturing 2020年第3期3卷 18-27页

作者： Lei Qu Chen Li Jiang Yan Rui Chen Jing Zhang Yanrong Wang Yayi Wei North China University of Technology Beijing 100144 Key Laboratory of Microelectronic Devices and Integrated Technology Institute of MicroelectronicsChinese Academy of SciencesBeijing 100029

The Atomic Layer Deposition process(ALD)is widely used in FinFET,3D-NAND and other important technologies because of its self-limiting signature and low growth *** recent years,the development of computer enables chances for ALD process simulation in order to improve the process R&D *** this paper,steady state theory and vacuum pump theory are implemented to develop the growth rate algorithm of atomic layer *** dynamic evolution of the deposition profile is realized based on cellular automata method,and fits the relationship between temperature and growth rate in HfO2 *** model accuracy and simulation results are verified with high *** on the simulation results of this model,the influence of different substrate size and environmental dose on growth rate of pore structure is studied and *** the case of deep hole,high depth-to-width ratio hole,or when the gas entry time is below saturation,the growth rate decreases at the pore ***,the simulation considering the angle-of-inclination of the hole’s tapered sidewall indicates that the greater the angle,the better the distribution of flux.

关键词： Atomic Layer Deposition process simulation profile model temperature fitting film of HfO2

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