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Combined Novel Gate Level Model and Critical Primary Input Sharing for Genetic Algorithm Based Maximum power supply noise Estimation

引用

Journal of Semiconductors 2007年第9期28卷 1375-1380页

作者：田志新刘勇攀杨华中清华大学电子工程系北京100084

A gate level maximum power supply noise （PSN） model is defined that captures both IR drop and di/dt noise effects. Experimental results show that this model improves PSN estimation by 5.3% on average and reduces computation time by 10.7% compared with previous methods. Furthermore,a primary input critical factor model that captures the extent of primary inputs＇ PSN contribution is formulated. Based on these models,a novel niche genetic algorithm is proposed to estimate PSN more effectively. Compared with general genetic algorithms, this novel method can achieve up to 19.0% improvement on PSN estimation with a much higher convergence speed.

关键词： power supply noise gate level model niche genetic algorithm

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A novel ESD power supply clamp circuit with double pull-down paths

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Science China(Information Sciences) 2013年第10期56卷 172-179页

作者： LIU HongXia YANG ZhaoNian LI Li ZHUO QingQing Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices School of Microelectronics Xidian University

Electrostatic-discharge(ESD)protection design is one of the key challenges of advanced CMOS ***-triggered and MOSFET-based power supply ESD clamp circuits have been widely used to obtain the desired ESD protection *** this paper,a MOSFET-based ESD power clamp circuit with only10 ns RC time constant for 0.18-μm process is presented.A double pull-down path is proposed to avoid false triggering,reject power supply noise and reduce energy *** performance of the novel clamp circuit is excellent,consuming very small layout *** simulation results show that this clamp circuit can be used in industry.

关键词： ESD(electrostatic-discharge) clamp circuit duration false triggering power supply noise

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