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Development trends of GaN-based wide bandgap semiconductors： from solid state lighting to power electronic devices

Frontiers of Optoelectronics 2015年第4期8卷 456-460页

作者： Bo SHEN Research Center for Wide Bandgap Semiconductors and State Key Laboratory of Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics School of Physics Peking University Beijing 100871 China

1 Introduction Ⅲ-nitride wide bandgap semiconductors, such as GaN, InN, AIN and their ternary or quaternary alloy components, are wholly-component direct band gap materials with a full adjustable band gap （0.63-6.2eV）, strong polarization, high temperature resistant, anti-radiation, and can be achieved with low-dimensional quantum structures. Furthermore, it is the only one semiconductor material system that covers ultraviolet to infrared wavelength band. Therefore, a lot of attention has been paid to them. Through unremitting efforts, blue-green light-emitting diodes （LEDs） based on InGaN/GaN quantum well materials with low in composition have been developed and successfully industrialized. Their applications in the fields of the solid-state lighting and flat-panel displays are profoundly changing people＇s lives. In addition, high power electron mobility transistor devices （HEMT） based on low A1 content AIGaN/GaN heterostructure have significant applications in the fields of X-band radar and civilian communications~ which is profoundly affecting the national security situation and the world＇s strategic pattern.

关键词： Electron devices series (mathematics) Lighting Solid state lighting Production cost Microwave power devices power electronic devices Semiconductor materials Military radar wide band gap semiconductors

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