检索结果-南通市图书馆

Wide-range-adjusted threshold voltages for E-mode AlGaN/GaN HEMT with a p-SnO cap gate

Science China Materials 2022年第3期65卷 795-802页

作者： Dazheng Chen Peng Yuan Shenglei Zhao Shuang Liu Qian Xin Xiufeng Song Shiqi Yan Yachao Zhang He Xi Weidong Zhu Weihang Zhang Jiaqi Zhang Hong Zhou Chunfu Zhang Jincheng Zhang Yue Hao State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology School of MicroelectronicsXidian UniversityXi’an 710071China State Key Laboratory of Crystal Materials Center of Nanoelectronics and School of MicroelectronicsShandong UniversityJinan 250100China

p-GaN cap layer has been recognized as a commercial technology to manufacture enhanced-mode(E-mode)AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT);however,the difficult activation of Mg doping and etching damage of p-GaN limit the further improvement of device ***,the more cost-effective cap layer has attracted wide attention in GaN-based *** this paper,p-type tin monoxide(p-SnO)was firstly investigated as a gate cap to realize E-mode AlGaN/GaN HEMT by both Silvaco simulation and *** results show that by simply adjusting the thickness(50 to 200 nm)or the doping concentration(3×10^(17)to 3×10^(18)cm^(-3))of p-SnO,the threshold voltage(V_(th))of HEMT can be continuously adjusted in the range from zero to 10 ***,the device demonstrated a drain current density above 120 mA mm^(-1),a gate breakdown voltage(V_(BG))of 7.5 V and a device breakdown voltage(V_(B))of 2470 *** is more,the etching-free AlGaN/GaN HEMT with sputtered p-SnO gate cap were fabricated,and achieved a positive V_(th) of 1 V,V_(BG) of 4.2 V and V_(B) of 420 V,which confirms the application potential of the p-SnO film as a gate cap layer for E-mode GaN-based *** work is instructive to the design and manufacture of p-oxide gate cap E-mode AlGaN/GaN HEMT with low cost.

关键词： p-SnO gate cap E-mode AlGaN/GaN HEMT positive threshold voltage wide-range adjustment silvaco ATLAS sputtered p-SnO

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：