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Local leakage current behaviours of bifeo_3 films

Chinese Physics B 2011年第11期20卷 493-498页

作者：邹成陈斌朱小健左正笏刘宜伟陈远富詹清峰李润伟 State Key Laboratory of Electronic thin films and Integrated Devices University of Electronic Science and Technology of China Key Laboratory of Magnetic Materials and Devices Ningbo Institute of Material Technology and EngineeringChinese Academy of Sciences Zhejiang Province Key Laboratory of Magnetic Materials and Application Technology Ningbo Institute of Material Technology and EngineeringChinese Academy of Sciences

The leakage current behaviours of polycrystalline bifeo3 thin films are investigated by using both conductive atomic force microscopy and current-voltage characteristic measurements. The local charge transport pathways are found to be located mainly at the grain boundaries of the films. The leakage current density can be tuned by changing the post-annealing temperature, the annealing time, the bias voltage and the light illumination, which can be used to improve the performances of the ferroelectric devices based on the bifeoa films. A possible leakage mechanism is proposed to interpret the charge transports in the polycrystalline bifeo3 films.

关键词： polycrystalline bifeo3 thin films local leakage current conductive atomic force microscopy

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