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  • 1 篇 p型金属氧化物半导...
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  • 1 篇 ge
  • 1 篇 poly-si1-xgex栅
  • 1 篇 阈值电压

机构

  • 1 篇 西安电子科技大学

作者

  • 1 篇 宣荣喜
  • 1 篇 刘翔宇
  • 1 篇 王萌
  • 1 篇 王斌
  • 1 篇 宋建军
  • 1 篇 舒斌
  • 1 篇 张鹤鸣
  • 1 篇 胡辉勇

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=poly-Si1-xGex栅"
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具有poly-si_(1-x)Ge_x栅的应变siGe p型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究
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物理学报 2014年 第23期63卷 284-289页
作者： 刘翔宇 胡辉勇 张鹤鸣 宣荣喜 宋建军 舒斌 王斌 王萌 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071
针对具有poly-si1-x Ge x栅的应变si Ge p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),研究了其垂直电势与电场分布,建立了考虑栅耗尽的poly-si1-x Ge x栅情况下该器件的等效栅氧化层厚度模型,并利用该模型分析了poly-si1-x Ge x栅及应变S... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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